本公开涉及通过三元氮化物降低PMOSFET阈值电压。一种方法包括形成p型晶体管。该方法包括：在半导体区域上形成栅极电介质；以及在栅极电介质上沉积p型功函数层。p型功函数层包括金属氮化物，金属氮化物包括第一金属和第二金属。n型功函数层被沉...

一种半导体装置结构包含一第一区、一第二区及设置于该第一区与该第二区之间的一边界区，该第一区包含设置于一半导体鳍片上方的一栅电极。该边界区包含一金属‑绝缘体‑金属(MIM)结构，且该MIM结构包含设置于该半导体鳍片上方的一第一导电层、与该...

本技术实施例的各种实施例涉及一种晶体管，晶体管的热稳定性可以通过不同的方式改进。源极/漏极电极和半导体层之间的介面层由具有比铟氧化物更高的键解离能的材料形成。或者，介面层由金属掺杂的氧化物半导体材料形成。作为另一种选择，在源极/漏极电极...

本技术提供一种半导体光子装置，包括多个光栅耦合器，每个光栅耦合器配置为将光信号的特定波长(或波长范围)耦合至半导体光子装置的光波导。在一些实施例中，本文所述的多个光信号分离器或多个滤波器的各种实施例能够将个别的波长(或个别的波长范围)传...

本技术提供一种积体组件，其包括衬底，包括沟道区；栅极结构，配置于衬底上且位于沟道区上方；第一掺杂类型的第一掺杂区，位于栅极结构的第一侧；第一掺杂类型的第二掺杂区，位于栅极结构的第二侧；浅沟渠隔离结构，与第一掺杂区配置于栅极结构的相对侧，...

本公开实施例提供了半导体器件及其制造方法。根据本公开的一个实施例的方法包括在衬底上方形成第一堆叠件并且在第一堆叠件上方形成第二堆叠件。第一堆叠件包括与介电层交错的半导体层。第二堆叠件包括与牺牲层交错的沟道层。方法也包括：图案化第二堆叠件...

本技术的各种实施例是关于一种半导体装置，所述装置可包括传感电极、第一介电层、第二介电层、致动膜片以及第三介电层。传感电极位于基底上方且位于多个隔离沟渠之间。第一介电层的多个部分位于传感电极上。第二介电层的一部分位于传感电极上及第一介电层...

本技术提供一种集成装置，所述集成装置包括：衬底；内连线结构，设置于衬底之上，内连线结构包括介电质；第一底部电极结构，设置于介电质中，第一底部电极结构具有在第一底部电极结构的外侧壁之间量测的第一宽度及自介电质的上表面量测的第一深度；以及第...

一种半导体装置及其操作方法，半导体装置包含第一暂存器、第二暂存器、第三暂存器及第一逻辑元件。第一暂存器用以储存第一输入数据。第二暂存器用以储存第一权重数据。第三暂存器用以根据第一输入数据及第一权重数据中的每一者输出第一输出数据。第一逻辑...

一种利用四舍五入的尾数对齐的计算方法及计算装置。在一些实施例中，计算浮点数的和(诸如在乘积累加运算中)包含通过调整多个尾数的至少一子集来对齐浮点数的多个尾数，使得多个浮点数的多个指数相同。在对齐之后，根据尾数的剩余部分，例如剩余部分的最...

一种半导体装置结构的形成方法，包括：形成第一和第二半导体鳍片于基底的前侧上；移除部分的第一和第二半导体鳍片以分别露出第一和第二基底部；形成第一源极/漏极区于第一基底部上，且包括N型外延材料；形成第二源极/漏极区于第二基底部上，且包括P型...

本发明实施例提供用于保护薄膜晶体管中氧化锡半导体材料的接触件，其形成方法包括：在覆盖衬底的介电材料层上形成堆叠，所述堆叠包括栅极电极、栅极介电层以及包括氧化锡半导体材料的有源层；在所述堆叠形成之前或之后，在所述介电材料层上形成源极电极、...

本发明提供一种结构可通过由使用金属对金属接合来接合处理器管芯与至少一个内存管芯而形成。所述处理器管芯包括用于执行逻辑运算的处理单元。所述至少一个内存管芯包括从静态随机存取内存阵列、增益单元随机存取内存阵列、磁阻式随机存取内存阵列以及电阻...

一种半导体结构，可包含有正面和对立于正面的背面的第一基板。半导体结构可包含元件在正面上。半导体结构可包含第一内连接结构在正面上并与元件耦接。半导体结构可包含一热分布层在正面上并电绝缘于第一内连接结构。热分布层包含导热材料。半导体结构可包...

提供了半导体结构。该半导体结构包括位于第一源极/漏极部件和第二源极/漏极部件之间的第一多个纳米结构，围绕第一多个纳米结构的第一栅极段，以及邻接第一栅极段的壁结构。第一多个纳米结构中的第一纳米结构包括本体部分和突起，并且突起从本体部分的第...

一种封装结构包括位于第一封装元件上的第一接合膜以及位于第一接合膜的第一对位标记。第一对位标记包括彼此分隔开的多个第一图案。封装结构包括位于第二封装元件上并接合至第一接合膜的第二接合膜以及位于第二接合膜中的第二对位标记。第二对位标记包括彼...

本公开提供一种光子元件，包括包含硅的第一端子以及包含多晶硅的第二端子。第一端子被配置为第一三维结构，沿着第一方向延伸并且在垂直于第一方向的第一截面平面中具有第一U形部分。相似地，第二端子被配置为第二三维结构，沿着第一方向延伸并且在第一截...

提供一种复合晶圆，其包括一第一介电氧化层，位于一处置基底的上表面上。复合晶圆也包括由多个转移材料板组成的二维阵列，贴附至第一介电氧化层，且通过从转移材料板的多个平坦上表面垂直延伸至第一介电氧化层的一上表面的多个相交的通道彼此横向隔开。

提供一种半导体装置及其形成方法。半导体装置的形成方法包括以下步骤。厚接合层形成在半导体晶片的表面之上，使得接合层在边缘区域中的顶表面位于比半导体晶片的非边缘区域中的接合层的底表面高的垂直高度。然后在半导体晶片的整个表面上沉积光刻胶材料并...

描述了用于形成半导体装置结构的方法。方法包括从基板形成鳍片结构，在鳍片结构周围沉积绝缘材料，凹蚀绝缘材料，并在鳍片结构的第一部分上方形成牺牲栅极结构。绝缘材料的第一部分被牺牲栅极结构覆盖，并且暴露绝缘材料的第二部分。方法还包括修改绝缘材...