本发明提供一种校准热传感器的温度系数的方法。所述方法包括根据多个半导体管芯上的电阻器在第一温度下的电阻测量值及多个半导体管芯的温度系数来决定电阻温度系数函数(RTCF)，通过测量电路来测量半导体管芯上的电阻器在第一温度下的电阻，以及通过...

本公开提出一种半导体装置及其制造方法。方法包括形成鳍部，此鳍部包括位于第二材料上方的第一材料；在鳍部的上方形成牺牲栅极，其中包括第一材料和第二材料的鳍部的通道区直接位于牺牲栅极下方，并且位于包括第一材料和第二材料的鳍部的两非通道区之间；...

一种半导体结构包括设置在基板中的第一隔离结构及第二隔离结构。半导体结构包括插入基板中的第一隔离结构与第二隔离结构之间的掺杂区域。半导体结构包括设置在掺杂区域上的栅极结构。半导体结构包括自栅极结构突出至第一隔离结构的第一栅极延伸，其中第一...

本技术提供一种在互连线结构上方形成的钝化层。刻蚀开口至少部分穿过钝化层。第一导电层沉积在钝化层上方。第一导电层部分填充开口。绝缘层沉积在第一导电层上方。绝缘层部分填充开口。第二导电层沉积在绝缘层上方。第二导电层完全填充开口。形成电性耦合...

本技术实施例提供半导体封装。半导体封装可包括衬底、接合到衬底的IC封装组件，其中IC封装组件可包括半导体晶粒、及位在衬底上的环状结构，其中在俯视图中，环状结构可包围IC封装组件。环状结构可包括：通过黏着剂附接到衬底的第一附接段，其中第一...

一种半导体封装及其测试结构，半导体封装包含：基板通孔(TSV)结构的一阵列，该阵列包括多个(O个)TSV结构，其中该阵列包括多个(M个)主动TSV结构；多个(N个)接触结构，所述多个接触结构包括用以分别接收一输入测试信号且提供一输出测试...

本发明提供一种形成半导体结构的方法包括形成鳍状有源区域，其从衬底突出且具有均匀的宽度，其中当从上往下俯视时，所述鳍状有源区域包括具有实质上笔直侧壁的第一分段以及紧邻所述第一分段且具有弯曲侧壁的第二分段；在所述鳍状有源区域的所述第二分段上...

本申请提供了纳米结构场效应晶体管器件及其形成方法。一种形成半导体器件的方法，包括：形成突出得高于衬底的鳍结构，其中，鳍结构包括鳍和上覆于鳍上的层堆叠，其中，层堆叠包括第一半导体材料和第二半导体材料的交替层；在鳍结构之上形成栅极结构；在栅...

一种方法，包括识别IC设计中的感兴趣的结构；将热影响区域指定给IC设计的区域，该区域至少包含感兴趣的结构的一部分；识别多个结构，全部或部分位于热影响区域中，并且对应于在基于IC设计的IC装置的操作期间自我加热的IC装置元件；对多个结构建...

提供封装结构与其形成方法。方法包括放置含晶片结构于基板上，并形成导热层于含晶片结构上。方法亦包括放置散热盖于含晶片结构与导热层上。金属化结构埋置于散热盖中，且金属化结构面向导热层。方法还包括升温并将导热盖压向含晶片结构，使一部分或所有的...

一种光子装置结构及光子半导体装置，光子装置结构包括具有第一顶侧氧化物层的基板及位于第一顶侧氧化物层上的硅层。光子装置结构还包括位于硅层中的多个肋状波导组件。肋状波导组件的第一肋状波导组件包括具有第一接触孔深度的第一接触孔，且肋状波导组件...

本公开涉及半导体封装与其组装方法。半导体封装包括中介层，具有相对的第一主要表面与第二主要表面。半导体晶粒位于第一主要表面上并经由穿过中介层的多个电性通孔电性连接至第二主要表面。散热盖位于半导体晶粒上。导热材料位于半导体晶粒与散热盖之间。...

本技术提供一种半导体装置及用于半导体装置的系统。像素阵列的金属栅格可以被图案化为在光电二极管的上方具有不同尺寸的开口。因此，可以形成具有不同敏感度的光电二极管的均匀像素阵列。举例来说，像素阵列可以包括低敏感度光电二极管(LSPD)、中敏...

横向双极性结型晶体管及其电路，其中一种横向双极性结型晶体管(BJT)包括：半导体衬底、设置在所述半导体衬底上的绝缘体区以及设置在所述绝缘体区之上的包括第一导电类型的井半导体的井区。具有第二导电类型的射极区设置在所述井区中，且具有所述第二...

提供了用于形成半导体器件的方法。该方法包括：形成包括鳍堆叠件部分的鳍式结构，鳍堆叠件部分包括交替堆叠的第一半导体部分和第二半导体部分；形成包括横跨鳍式结构的沟道区域的伪栅极堆叠件的伪栅极结构；在伪栅极结构的相对侧上的鳍式结构的源极/漏极...

本技术涉及一种集成晶粒结构。所述集成晶粒结构包括了设置在安置于衬底内的隔离结构上方的第一电容器导体。隔离结构横向延伸超过第一电容器导体的相对外侧壁。电容器介电质沿着第一电容器导体的相对外侧壁中的一者安置并且安置在第一电容器导体的顶表面上...

本技术提供一种半导体结构。根据本公开的示例性半导体结构包括双埠静态随机存取存储器(SRAM)胞元，双埠SRAM胞元具有写入埠部分及电性耦合至写入埠部分的读取埠部分。读取埠部分包括具有栅极结构的晶体管。半导体结构亦包括：第一多条金属线，包...

半导体结构包括具有形成在交替的第一n型阱和第一p型阱上方的第一主动区的第一标准单元，第一主动区以及交替的第一n型阱和第一p型阱各自沿第一方向纵向延伸，每个第一标准单元包括第一n型阱和第一p型阱；以及与第一标准单元相邻的第二标准单元，第二...

提供了一种集成电路，包括第一温度敏感器件和第二温度敏感器件。第一温度敏感器件配置为在集成电路的输出端子产生参考电压。第二温度敏感器件通过电阻器耦合至集成电路的输出端子，配置为与第一温度敏感器件配合工作，产生从集成电路的输出端子通过电阻器...

提供了一种集成电路，包括第一温度敏感器件和第二温度敏感器件。第一温度敏感器件被配置为产生根据绝对温度单调增加的第一偏置电流，并基于第一偏置电流产生第一电压。第二温度敏感器件被配置为在第二温度敏感器件上产生第二电压，并在集成电路的输出端子...