提供一种用于电路探针测试系统的探针卡以及探针头。探针卡包括基板部分、具有多个开口的导引板、以及延伸穿过所述开口的多个探针引脚，所述探针引脚包括配置为在基板部分与被测装置之间传送电力的至少一第一探针引脚、配置为将被测装置电耦合到地的至少一...

本公开涉及用于EUV光刻的保护膜结构及其制造方法。一种形成保护膜的方法包括：生长碳纳米管(CNT)，用由不同的材料制成的一个或多个纳米管包裹所述CNT，以及去除所述CNT。可以在过滤器之上生长所述CNT，并且随后去除所述过滤器。可以使所...

本揭示内容提供一种半导体装置，包括基板、第一晶粒、第二晶粒、应力缓冲结构及金属层。第一晶粒及第二晶粒接合至基板的第一侧。应力缓冲结构在第一晶粒及第二晶粒上方，其中应力缓冲结构包括延伸通过第一绝缘层的第一铜通孔的底部部分、延伸通过第二绝缘...

本技术提供一种包括密封环结构的半导体器件。在一个实施例中，一种包括密封环结构的半导体器件包括：第一封装组件，包括第一钝化层；电子连接件，其延伸穿过所述第一钝化层；第二钝化层，其位在所述第一钝化层上方；第一金属垫以及第二金属垫，其嵌入所述...

一种芯片封装结构。芯片封装结构包括光子集成电路芯片，光子集成电路芯片包括介电结构、光探测器、光调制器以及介电结构中的第一波导结构。光电探测器和光调制器连接至第一波导结构。芯片封装结构包括位于光子集成电路芯片上方的电子集成电路芯片。芯片封...

一种记忆体装置包括一基板，该基板具有一前侧及与该前侧相对的一背侧。一互连结构位于该基板上或上方，且具有第一金属层及第二金属层以及电连接该第一金属层与该第二金属层的一通孔。一字线驱动器电路用以输出一字线启用信号至一记忆体阵列的一字线。该字...

本揭露的实施例提供了形成半导体装置结构的方法。该方法包括从基板形成鳍结构；在鳍结构周围沉积第一牺牲层，在第一牺牲层上沉积第二牺牲层；以及在第二牺牲层上方沉积第一遮罩层。第一遮罩层的厚度介于约60nm至约65nm之间。该方法还包括执行第一...

本公开涉及半导体MEMS结构及其形成方法。在一些实施例中，本公开涉及一种微机电系统(microelectromechanical system，MEMS)结构。MEMS结构包括具有从第一分支向外延伸的第一多个梳状指状物的第一梳状结构。第...

一种半导体装置和时钟控制电路，上述半导体装置包括一晶片上时钟控制器，被配置以提供一时钟输出信号，并被配置以接收一模式信号和一速度致能信号，以及被配置以产生一第一快速时钟致能信号和一第一慢速时钟致能信号。上述晶片上时钟控制器被配置以基于上...

本技术的实施例提供一种喷嘴垫片包括中心轴、第一端和与第一端相对的第二端、与中心轴对齐并从第一端延伸到第二端的通孔、在第一端的密封结构及在第二端的变形结构，密封结构包括围绕中心轴延伸的第一密封部分、围绕中心延伸轴并围绕第一密封部分延伸的第...

感测放大器放大互补信号线之间的电压差，并包括第一、第二、第三和第四组件。第一组件具有第一晶体管的第一栅极区。第二组件具有第二晶体管的第一栅极区。第三组件具有第一晶体管的第二栅极区。第四组件具有第二晶体管的第二栅极区。第一晶体管和第二晶体...

本发明的实施例描述了用于在电路布局中查找实例的系统和方法以及存储有执行在电路布局中查找实例的指令的非暂时性计算机可读介质。一种查找实例的方法，包括：将初始名称和初始位置分配给多个实例的底部实例中的跟踪单元；确定初始名称是否对应于多个实例...

提供一种记忆体装置及其操作方法。记忆体装置包含乘法累加(MAC)电路及后处理电路。MAC电路包含向量引擎电路，其储存递归类神经网络(RNN)的当前时间步骤的第一输入向量及RNN的一先前时间步骤的第一隐藏向量。向量引擎电路对第一输入向量、...

本揭示内容的实施例提供一种记忆晶胞以及集成电路，特别是包括两个或多个位元的多次可程序化(Multi‑time programmable，MTP)记忆晶胞。该记忆晶胞包含鳍式场效晶体管(Fin field effect transisto...

纳米结构场效晶体管包括源极/漏极区、半导体纳米结构、隔离区、保护层、栅极结构及间隔物。半导体纳米结构相邻于源极/漏极区。隔离区相邻于半导体纳米结构。保护层在隔离区上，保护层为含碳介电层。栅极结构在保护层上且在半导体纳米结构周围。间隔物在...

一种微影系统包含一光源及至少一个反射器。光源包括一液滴产生器、一储液器、一监测组件及一收集器。储液器与该液滴产生器流体连通。监测组件具有连接至该储液器外部的至少两个电极。收集器位于该液滴产生器下方。该反射器与该收集器光学耦合。

集成电路包括：层间介电层，具有位于晶体管的源极/漏极区域正上方的第一部分以及位于源极/漏极区域正上方并且横向邻接第一部分的第二部分。第一部分和第二部分具有不同的材料组成，从而使得层间介电区域将有益的应变施加至晶体管。本申请的实施例还涉及...

本技术提供一种半导体装置。半导体装置包括具有第一阴极及第一阳极的第一二极体，其中第一阴极是浮置的。半导体装置包括具有第二阴极及第二阳极的第二二极体，其中第一阳极耦合至第二阳极，第二阴极连接至第一供应电压。半导体装置包括具有第三阴极及第三...

多晶硅井形成于像素传感器阵列中的多个像素传感器之间的十字交错部分处。此外，下伏氧化层在多晶硅井与像素传感器阵列的半导体层之间的部分相较于他处而更薄。多晶硅井与较薄的氧化层可减少在刻蚀半导体层以形成容纳像素传感器阵列的BDTI结构的凹陷期...

提供一种光纤阵列单元。所述光纤阵列单元包括基板、多个光纤凹槽以及多个光导元件。基板具有连续且连接的第一区域和第二区域。光纤凹槽形成在第一区域。光导元件形成在第二区域。多个光纤凹槽分别与多个光导元件对准。