【技术实现步骤摘要】
本揭露的一些实施例关于一种光子装置结构及一种光子半导体装置。
技术介绍
1、随着集成电路(integrated circuit，ic)变得越来越小且越来越快，各种类型ic中使用的电信号亦受到由ic中的电容、电感或电阻引起的越来越大的延迟的影响。在特定的高速度及/或频率下，这样的延迟成为设计问题。为了避免潜在的信号延迟问题，在某些情况下使用光信号代替电信号进行资料传输。
技术实现思路
1、根据一些实施例，提供一种光子装置结构。光子装置结构包括基板及硅层。基板包括位于基板上的氧化物层，且硅层位于氧化物层上。光子装置结构还包括位于硅层中的多个波导组件。波导组件的第一波导组件具有至少一个第一接触孔，第一接触孔具有第一接触孔深度，且波导组件的第二波导组件具有第二接触孔深度，其中第一接触孔深度与第二接触孔深度不同。
2、根据一些实施例，提供一种光子半导体装置。光子半导体装置包括基板及位于基板上的氧化物层。光子半导体装置还包括位于氧化物层上的硅层。光子半导体装置的硅层包括条状波导组件、肋状至...
【技术保护点】
1.一种光子装置结构，其特征在于，包含：
2.如权利要求1所述的光子装置结构，其特征在于，还包含：
3.如权利要求2所述的光子装置结构，其特征在于，其中该第一接触蚀刻停止层的一深度为该第一接触孔深度的5％或更大。
4.如权利要求2所述的光子装置结构，其特征在于，其中该第二接触蚀刻停止层的一深度为该第二接触孔深度的5％或更大。
5.一种光子半导体装置，其特征在于，包含：
6.如权利要求5所述的光子半导体装置，其特征在于，还包含：
7.如权利要求5所述的光子半导体装置，其特征在于，其中所述多个肋状波导
...【技术特征摘要】
1.一种光子装置结构，其特征在于，包含：
2.如权利要求1所述的光子装置结构，其特征在于，还包含：
3.如权利要求2所述的光子装置结构，其特征在于，其中该第一接触蚀刻停止层的一深度为该第一接触孔深度的5％或更大。
4.如权利要求2所述的光子装置结构，其特征在于，其中该第二接触蚀刻停止层的一深度为该第二接触孔深度的5％或更大。
5.一种光子半导体装置，其特征在于，包含：
6.如权利要求5所述的光子半...
【专利技术属性】
技术研发人员：廖诗瑀，刘陶承，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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