半导体器件结构及其形成方法技术

本申请公开了半导体器件结构及其形成方法。本公开的实施例涉及一种半导体器件结构。该结构包括衬底、设置在衬底上的绝缘材料、从衬底向上延伸穿过绝缘材料的第一鳍结构、从衬底向上延伸穿过绝缘材料的第二鳍结构，其中，第一鳍结构和第二鳍结构沿第一方向延伸。该结构还包括设置在第一鳍结构和第二鳍结构之间的第一隔离沟槽结构，其中，第一隔离沟槽结构沿垂直于第一方向的第二方向延伸穿过绝缘材料，并且第一隔离沟槽结构包括延伸到衬底中第一深度的第一部分和延伸到衬底中第二深度的第二部分，其中，第二深度不同于第一深度。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体，更具体地涉及半导体器件结构及其形成方法。

技术介绍

1、随着半导体行业发展到纳米技术工艺节点以追求更高的器件密度、更高的性能和更低的成本，来自制造和设计问题两者的挑战引起了诸如鳍式场效应晶体管(finfet)和栅极全环绕(gaa)晶体管之类的多栅极器件的发展。为了继续为先进技术节点中的多栅极器件提供所需的缩放和增加的密度，需要继续减小栅极节距。已经使用了各种方案(例如扩散边缘上多晶硅(poly on diffusion edge，pode)和扩散边缘上连续多晶硅(continuouspoly on diffusion edge，cpode)来缩小栅极节距，同时防止晶体管之间的泄漏电流。然而，已经观察到可以在蚀刻工艺期间形成寄生鳍双极晶体管，这导致epi-衬底-epi泄漏路径的形成。

2、因此，需要改进ic的加工和制造。

技术实现思路

1、根据本公开的第一方面，提供了一种半导体器件结构，包括：衬底；绝缘材料，设置在所述衬底上；第一鳍结构，从所述衬底向上延伸穿过所述绝缘材料；第二鳍结本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体器件结构，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件结构，还包括：

3.根据权利要求2所述的半导体器件结构，其中，所述第一隔离沟槽结构具有与所述第二隔离沟槽结构接触的侧壁。

4.根据权利要求2所述的半导体器件结构，其中，所述第一隔离沟槽结构从顶表面到底表面延伸穿过所述第二隔离沟槽结构的整个本体。

5.根据权利要求4所述的半导体器件结构，其中，所述第一隔离沟槽结构具有第一尺寸，而所述第二隔离沟槽结构具有大于所述第一尺寸的第二尺寸。

6.根据权利要求2所述的半导体器件结构，其中，所述绝缘材料的一部分被设置在所述衬底和所...

【技术特征摘要】

1.一种半导体器件结构，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件结构，还包括：

3.根据权利要求2所述的半导体器件结构，其中，所述第一隔离沟槽结构具有与所述第二隔离沟槽结构接触的侧壁。

4.根据权利要求2所述的半导体器件结构，其中，所述第一隔离沟槽结构从顶表面到底表面延伸穿过所述第二隔离沟槽结构的整个本体。

5.根据权利要求4所述的半导体器件结构，其中，所述第一隔离沟槽结构具有第一尺寸，而所述第二隔离沟槽结构具有大于所述第一尺寸的第二尺寸。

6.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：林子敬，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：