【技术实现步骤摘要】
本公开涉及一种存储器元件及其制备方法。特别涉及一种包括具有不同材料的电容器接触的存储器元件及其制备方法。
技术介绍
1、由于结构的简单性，相较于像是静态随机存取存储器(static random accessmemories；sram)的其他类型存储器，动态随机存取存储器(dynamic random accessmemories；dram)可以在每单位芯片面积上提供更多的存储器单元。dram是由多个dram单元所组成，每一个dram单元包括用于存储信息的电容器和与电容器耦合的晶体管，用于调节电容器何时被充电或放电。在读取操作期间，字元线(word line；wl)被触动(asserted)，从而导通晶体管。被导通的晶体管允许感测放大器通过位元线(bit line；bl)读取电容器两端的电压。在写入操作期间，要写入的数据会在wl被触动时提供在bl上。
2、为了满足更大量的存储器存储需求，dram存储器单元的尺寸持续地减小，所以这些dram的封装密度大大地增加。然而，半导体元件的制造和整合涉及许多复杂的步骤和操作。半导体元件中...
【技术保护点】
1.一种存储器元件，包括：
2.如权利要求1所述的存储器元件，其中该较高电容器接触与该较低电容器接触直接接触。
3.如权利要求1所述的存储器元件，其中该较高电容器接触的一高度大于或等于该较低电容器接触的一高度。
4.如权利要求1所述的存储器元件，其中该较高电容器接触的一高度与该较低电容器接触的一高度的一比率在大约1到大约1.5的范围内。
5.如权利要求1所述的存储器元件，还包括：
6.如权利要求1所述的存储器元件，还包括：
7.如权利要求6所述的存储器元件，其中该位元线掩模层的一顶表面高于该较高电...
【技术特征摘要】
1.一种存储器元件，包括：
2.如权利要求1所述的存储器元件，其中该较高电容器接触与该较低电容器接触直接接触。
3.如权利要求1所述的存储器元件，其中该较高电容器接触的一高度大于或等于该较低电容器接触的一高度。
4.如权利要求1所述的存储器元件，其中该较高电容器接触的一高度与该较低电容器接触的一高度的一比率在大约1到大约1.5的范围内。
5.如权利要求1所述的存储器元件，还包括：
6.如权利要求1所述的存储器元件，还包括：
7.如权利要求6所述的存储器元件，其中该位元线掩模层的一顶表面高于该较高电容器接触的一顶表面。
8.如权利要求6所述的存储器元件，还包括：
9.如权利要求8所述的存储器元件，还包括：
10.如权利要求9所述的存储器元件，其中该着陆垫与该较高电容器接触直接接触。
11.一种存储器元件，包括：
12.如权利要求11所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员：庄英政，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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