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本申请公开了半导体器件结构及其形成方法。本公开的实施例涉及一种半导体器件结构。该结构包括衬底、设置在衬底上的绝缘材料、从衬底向上延伸穿过绝缘材料的第一鳍结构、从衬底向上延伸穿过绝缘材料的第二鳍结构，其中，第一鳍结构和第二鳍结构沿第一方向延伸...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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