半导体装置制造方法及图纸

一种半导体装置，包含多个第一纳米结构通道、多个第二纳米结构通道、第一金属栅极结构、第二金属栅极结构、栅极隔离结构以及主动区隔离结构。第一纳米结构通道位于延伸到半导体基板上的第一凸部区上，并沿垂直于半导体基板的方向布置。第二纳米结构通道位于延伸到半导体基板上的第二凸部区上，并沿垂直于半导体基板的方向布置。第一金属栅极结构围绕第一纳米结构通道的每一者。第二金属栅极结构围绕第二纳米结构通道的每一者。栅极隔离结构位于第一及第二金属栅极结构之间。主动区隔离结构位于栅极隔离结构及第二金属栅极结构之间，其介电衬垫直接包含于栅极隔离结构的侧壁上，其底部包含凸部区段以及浅沟隔离区段。

【技术实现步骤摘要】

本揭露是有关与一种半导体装置。

技术介绍

1、随半导体装置制造的进步及技术处理节点尺寸的减小，晶体管变得可受短通道效应(sce)影响，例如热载子劣化效应、能障降低以及量子局限等等。此外，随晶体管的栅极长度因更小的技术节点而减小，源极/漏极(s/d)电子穿隧也增加，而增加晶体管的关闭电流(当晶体管于关闭状态时通过晶体管通道区的电流)。硅(si)/硅锗(sige)纳米结构晶体管，如纳米线、纳米薄片及环绕式栅极(gaa)装置是在更小的技术节点克服短通道效应的潜在候补。纳米结构晶体管是相对于其他种晶体管可具有减低的sce及增强的载子迁移性的有效结构。

技术实现思路

1、本揭露的一实施例包含一种半导体装置，包含多个第一纳米结构通道、多个第二纳米结构通道、第一金属栅极结构、第二金属栅极结构、栅极隔离结构以及主动区隔离结构。第一纳米结构通道位于延伸到半导体基板上的第一凸部区上，其中第一纳米结构通道沿垂直于半导体基板的方向布置。第二纳米结构通道位于延伸到半导体基板上的第二凸部区上，其中第二纳米结构通道沿垂直于半导体基板的方向本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体装置，其特征在于，包含：

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包含：

3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该第一金属栅极结构直接接触该栅极隔离结构的另一侧壁。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包含：

5.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，该第二金属栅极结构直接接触该另一栅极隔离结构的一侧壁。

6.如权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，该主动区隔离结构的该介电衬垫直接接触该另一栅极隔离结构的另一侧壁。

7.一种半导体装置，其特征在于，包含：

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【技术特征摘要】

1.一种半导体装置，其特征在于，包含：

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包含：

3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该第一金属栅极结构直接接触该栅极隔离结构的另一侧壁。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包含：

5.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，该第二金属栅极结构直接接触该另一栅极隔离结构的一侧壁。

【专利技术属性】
技术研发人员：林子敬，蔡雅怡，吴昀铮，古淑瑗，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：