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一种半导体装置，包含多个第一纳米结构通道、多个第二纳米结构通道、第一金属栅极结构、第二金属栅极结构、栅极隔离结构以及主动区隔离结构。第一纳米结构通道位于延伸到半导体基板上的第一凸部区上，并沿垂直于半导体基板的方向布置。第二纳米结构通道位于延...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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