存储器电路及其操作方法技术

本发明专利技术的实施例提供了一种存储器电路，包括可通过第一存取线和第二存取线操作存取的第一存储器单元；分别耦接到第一存取线和第二存取线的第一读取传输门晶体管和第二读取传输门晶体管；第一感测放大器，其耦接到所述第一存取线和所述第二存取线；第一读取使能控制电路，被配置为基于时钟信号产生第一读取使能信号；以及第二读取使能控制电路，被配置为产生第二读取使能信号。第一读取使能信号基于第一感测使能信号选择性地转变为不同的逻辑状态。第二读取使能信号被配置为激活或停用第一和第二读取传输门晶体管，第一感测使能信号被设置为激活或停用第一感测放大器。本发明专利技术的实施例还提供了一种存储器电路的操作方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的实施例总体涉及电子电路领域，更具体地，涉及存储器电路及其操作方法。

技术介绍

1、由于各种电子元件(如晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度不断提高，半导体行业经历了快速增长。在很大程度上，集成密度的提高来自于最小特征尺寸的反复减小，这使得更多的组件可以集成到给定的区域中。

技术实现思路

1、本专利技术的实施例提供了一种存储器电路，包括：第一存储器单元，通过第一存取线和第二存取线可操作地存取；第一读取传输门晶体管和第二读取传输门晶体管，分别耦接到所述第一存取线和所述第二存取线；第一感测放大器，耦接到所述第一存取线和所述第二存取线；第一读取使能控制电路，被配置为基于时钟信号产生第一读取使能信号；以及第二读取使能控制电路，被配置为通过对所述第一读取使能信号进行逻辑反转来产生第二读取使能信号，其中，所述第一读取使能信号基于第一感测使能信号选择性地转变为不同的逻辑状态；其中，所述第二读取使能信号被配置为激活或停用所述第一读取传输门晶体管和所述第二读取传输门晶体管，并且所述第一感测使能信号被配置为激活本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种存储器电路，包括：

2.根据权利要求1所述的存储器电路，其中，所述第一读取使能控制电路包括NOR门，所述第二读取使能控制电路包括反相器和晶体管。

3.根据权利要求2所述的存储器电路，其中，所述NOR门具有被配置为接收写入使能信号的第一输入端、被配置为接收根据所述时钟信号生成的感测使能控制信号的第二输入端、以及被配置为输出所述第一读取使能信号的输出端，并且所述第一感测使能信号跟随所述感测使能控制信号。

4.根据权利要求3所述的存储器电路，其中，所述反相器具有被配置为接收所述第一读取使能信号的输入端和被配置为提供所述第二读取使能信号的输出端，并且所...

【技术特征摘要】

1.一种存储器电路，包括：

2.根据权利要求1所述的存储器电路，其中，所述第一读取使能控制电路包括nor门，所述第二读取使能控制电路包括反相器和晶体管。

3.根据权利要求2所述的存储器电路，其中，所述nor门具有被配置为接收写入使能信号的第一输入端、被配置为接收根据所述时钟信号生成的感测使能控制信号的第二输入端、以及被配置为输出所述第一读取使能信号的输出端，并且所述第一感测使能信号跟随所述感测使能控制信号。

4.根据权利要求3所述的存储器电路，其中，所述反相器具有被配置为接收所述第一读取使能信号的输入端和被配置为提供所述第二读取使能信号的输出端，并且所述晶体管具有连接到所述第一感测使能信号的栅极端子、连接到所述第一读取使能信号的漏极端子和连接到接地的源极端子。

5.一种存储器电路，包括：

6.根据权利要求5所述的存储器电路，其中，所述全局...

【专利技术属性】
技术研发人员：桑吉夫·库马尔·甄恩，阿图尔·卡多奇，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：