电子元件制造技术

本技术提供一种电子元件，其具有下结构或特征。二极管形成在主动区。二极管包括嵌入于主动区域的第一部分的P型组成，嵌入于主动区域的第二部分的N型组成，以及位于P型组成和N型组成之间的未掺杂组成。互连结构形成在二极管的第一侧上。互连结构的不同部分分别与P型组成和N型组成电耦合。一个或多个开口被蚀刻于在二极管相对于第一侧的第二侧上配置的介电结构中。掺杂材料通过一个或多个开口被植入主动区域。一个或多个开口被填充入导电材料。本揭露的方式可以减少与带正电的等离子体相关的有害影响，并可以改善元件性能。其他优点可能包括与现有工艺的兼容性以及实施的简便性和低成本。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种电子元件，尤其涉及一种具有用于中和二极管结构中电子的掺杂区域(doped region for neutralizing electrons in diode structure)的电子元件。

技术介绍

1、半导体集成电路(integrated circuit，ic)产业已经历指数级增长。ic材料及设计的技术进步已产生多代ic，其中每一代相较于上一代具有更小且更复杂的电路。在ic发展过程中，功能密度(functional density)(即，每芯片面积的内连元件的数目)普遍增加，而几何尺寸(即可使用制作工艺创建的最小组成(或线路))则是减小。此种按比例缩减工艺通常借由提高生产效率及降低相关联的成本来提供益处。

2、然而，随着微缩过程的持续，它带来了一些制造上的挑战。例如，二极管结构的制造可能会导致带正电的粒子存在于介电结构中。这些带正电的粒子的存在可能会吸引靠近介电结构的电子，这可能导致元件性能变差，因此是不受欢迎的。

3、因此，虽然某些二极管工艺已经对其预期的目的大致上是足够的，但在所有方面都未能完全令人满意。...

【技术保护点】

1.一种电子元件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的电子元件，其特征在于，其中所述一个或多个掺杂区域是以P型掺杂剂进行掺杂。

3.根据权利要求1所述的电子元件，其特征在于，其中在剖面侧视图中，所述一个或多个掺杂区域的各个具有比所述P型区域或所述N型区域还宽的横向尺寸。

4.根据权利要求1所述的电子元件，其特征在于，还包括第一隔离结构和第二隔离结构；

5.根据权利要求1所述的电子元件，其特征在于，其中所述一个或多个掺杂区域包括与所述二极管的所述P型区域垂直对齐的第一掺杂区域，以及与所述二极管的所述N型区域垂直对齐的第二掺杂区域。...

【技术特征摘要】

1.一种电子元件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的电子元件，其特征在于，其中所述一个或多个掺杂区域是以p型掺杂剂进行掺杂。

3.根据权利要求1所述的电子元件，其特征在于，其中在剖面侧视图中，所述一个或多个掺杂区域的各个具有比所述p型区域或所述n型区域还宽的横向尺寸。

4.根据权利要求1所述的电子元件，其特征在于，还包括第一隔离结构和第二隔离结构；

5.根据权利要求1所述的电子元件，其特征在于，其中所述一个或多个掺杂区域包括与所述二极管的所述p型区域垂直对齐的第一掺杂区域，以及与所述二极管的所述n型区域垂直对齐的第二掺杂区域。

6.根据权利要求1所述的电子元件，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：李振铭，苏子昂，李明轩，吴以雯，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：