一种注入结构和碳化硅栅控器件结构制造技术

本技术提供了一种注入结构和碳化硅栅控器件结构，注入结构包括阵列布置的元胞，以及至少一个P掺杂区；元胞包括pbase掺杂区、N+掺杂区和P+掺杂区；pbase掺杂区一端面开设凹槽，P+掺杂区位于凹槽中心处与源极接触相接，N+掺杂区位于P+掺杂区侧面与凹槽侧壁之间；栅极介质区域开设与元胞对应、且由源极接触封堵的第一缺口，栅极接触开设与P掺杂区相对应的第二缺口、及与第一缺口对应的第三缺口；pbase掺杂区与栅极介质区域相接；P掺杂区一端面与栅极介质区域相接。本技术提供一种注入结构和碳化硅栅控器件结构可以提高沟道密度、减小栅氧电场强度和碳化硅器件阻断漏电流、减小反向传输电容、减小器件开关损耗。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体，具体涉及一种注入结构和碳化硅栅控器件结构。

技术介绍

1、正向导通电阻、阻断电压、开关损耗是功率栅控器件至关重要的性能参数，提高功率mosfet的性能，需要降低器件的导通电阻、开关损耗，同时保证器件的高阻断电压。在功率mosfet导通电阻的组成中，沟道电阻占有较大的比例，提高沟道密度是降低沟道电阻的重要途径，相对于条形元胞，传统的方形、多角形、圆形元胞可有效提高沟道密度，但jfet区域存在面积较大的地方，将会增加器件的反向传输电容、阻断漏电流和栅氧电场强度，进而增加器件开关损耗并降低器件阻断电压，所以需要在原有方形、多角形等元胞结构的基础上，优化结构，在提高沟道密度的同时，降低器件开关损耗、降低阻断漏电流和栅氧电场强度。

技术实现思路

1、本技术针对现有技术存在的问题，提供了一种通过改变及增加注入结构同时增加注入区域的形式，提高沟道密度的同时减小栅氧电场强度和碳化硅器件阻断漏电流，同时结合分裂栅结构以减小方形、多角形元胞的反向传输电容，并减小器件开关损耗的注入结构和碳化硅栅控器件结构。...

【技术保护点】

1.一种注入结构，其特征在于：包括阵列布置的若干个元胞，以及至少一个P掺杂区；相邻的所述元胞之间设有间隔，所述P掺杂区位于所述间隔相交处；

2.根据权利要求1所述的注入结构，其特征在于：所述元胞的横截面呈方形、圆形或多角形。

3.根据权利要求2所述的注入结构，其特征在于：所述若干个元胞呈矩形阵列，呈矩形布置且相邻的四个所述元胞之间的间隔交叉处设置所述P掺杂区。

4.根据权利要求1所述的注入结构，其特征在于：所述元胞的横截面呈正六角形。

5.根据权利要求4所述的注入结构，其特征在于：所述若干个元胞呈三角形阵列，呈三角形布置且相邻的三个所述元胞...

【技术特征摘要】

1.一种注入结构，其特征在于：包括阵列布置的若干个元胞，以及至少一个p掺杂区；相邻的所述元胞之间设有间隔，所述p掺杂区位于所述间隔相交处；

2.根据权利要求1所述的注入结构，其特征在于：所述元胞的横截面呈方形、圆形或多角形。

3.根据权利要求2所述的注入结构，其特征在于：所述若干个元胞呈矩形阵列，呈矩形布置且相邻的四个所述元胞之间的间隔交叉处设置所述p掺杂区。

4.根据权利要求1所述的注入结构，其特征在于：所述元胞的横截面呈正六角形。

5.根据权利要求4所述的注入结构，其特征在于：所述若干个元胞呈三角形阵列，呈三角形布置且相邻的三个所述元胞之间的间隔交叉处设置所述p掺杂区。

6.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：李嘉琳，金锐，朱涛，李哲洋，葛欢，王锐，
申请(专利权)人：北京智慧能源研究院，
类型：新型
国别省市：