一种提高注入离子掺杂深度的方法及碳化硅器件，包括：选取平行于晶圆主晶轴或垂直于原子密度较小晶面的离子注入方向；根据所述离子注入方向对预设温度的晶圆进行倾斜和/或旋转处理，并在处理后的晶圆上进行离子注入。本发明通过选取平行于晶圆主晶轴，或...

一种制备小角度SiC平缓台面的刻蚀方法及终端结构，包括：在SiC衬底表面依次沉积第一SiO<subgt;2</subgt;薄膜和第二SiO<subgt;2</subgt;薄膜；对所述第一SiO<subgt;...

本公开提供一种集成混合式PiN‑肖特基二极管的碳化硅MOSFET，可通过调节p+区域的宽度，自芯片边缘至芯片中央呈递增的非均匀分布规律，降低芯片中央区域较高的结温，使芯片的温度分布较为均匀；同时通过集成混合PiN‑肖特基二极管增强体二极...

一种制备平缓的碳化硅斜面的方法及终端结构，包括：在碳化硅晶圆表面生长掩膜介质层，在所述掩膜介质层上旋涂光刻胶，并对所述光刻胶进行光刻处理，得到具有预设倾角的斜面形貌的光刻掩膜；基于所述光刻掩膜，对所述掩膜介质层进行湿法腐蚀，得到具有所述...

本发明提供一种碳化硅MOSFET的制备方法及碳化硅MOSFET，包括：在碳化硅衬底上依次生长缓冲层和漂移区；基于多个预先制作的掩膜版，依次通过多个掩膜版分别进行多次离子注入，形成从碳化硅MOSFET芯片边缘至芯片中央宽度逐渐增加的集成二...

本发明公开了一种IGBT功率器件的短路测试方法、装置、控制器及介质，短路测试方法包括：在第一预设时刻控制所述第二二极管导通，并控制所述第二供电模块给所述待测IGBT器件的续流二极管提供浪涌电流；在第二预设时刻向所述待测IGBT器件发送短...

本发明提供一种碳化硅功率半导体器件的栅极可靠性评估方法，包括：对一个或多个碳化硅功率半导体器件施加动态栅极电应力；动态栅极电应力施加时间T<subgt;i</subgt;后，获取第i组测试数据，包括：栅极漏电流、栅电荷、跨导...

一种Si/SiC异质结结构，所述异质结形成二极管的阳极区，P型S i位于N型SiC上方，Si/Si C异质结由上述两层组成；或形成绝缘栅双极晶体管I GBT的背面发射区,P型Si位于N型SiC下方，Si/SiC异质结由上述两层组成。与传...

一种绝缘调控结构及其制造方法，所述结构包括复合绝缘涂层、高压功率器件、覆铜陶瓷板、底板；所述复合绝缘涂层为多层结构；所述高压功率器件、覆铜陶瓷板、底板连接在一起，芯片电气连接通过引线键合、铜夹等工艺实现；所述覆铜陶瓷板为三明治结构，由上...

本发明公开了一种碳化硅MOSFET器件及其制备方法，涉及半导体器件领域。该器件包括：由底到顶的衬底层、缓冲层和漂移层；漂移层中从一端到另一端嵌有多个p阱区；每两个p阱区之间设置肖特基区；肖特基区与p阱区之间为结型场效应管区；肖特基区中设...

本发明公开了一种高可靠性的沟槽型碳化硅MOSFET及制备方法，属于功率器件技术领域。其技术方案为：一种高可靠性的沟槽型碳化硅MOSFET，包括嵌设在芯片基底上表面的集成模块，以及覆盖于集成模块上表面的共覆金属层；集成模块包括自芯片基底边...

本发明提供了一种IGBT器件内部结温获取方法、计算系统、存储介质及装置，属于功率半导体技术领域，该方法包括：获取I GBT模块确定I GBT芯片开启电压随温度变化的系数k<subgt;V</subgt;、I GBT芯片导通电...

本发明公开了一种功率器件的终端区结构和制造方法，属于功率器件技术领域。其技术方案为：一种功率器件的终端区结构，包括终端区，终端区包括低浓度JTE区，以及间隔设置在低浓度JTE区内的若干个调制组，若干个调制组对低浓度JTE区的杂质浓度进行...

本发明公开了一种功率半导体器件的失效测试装置，包括测试电路和测试夹具，测试电路包括测试控制上位机、电压源、多个相互并联的测试支路，测试支路包括被测功率器件，测试控制上位机分别与电压源和被测功率器件连接，电压源还连接至各个测试支路，电压源...

本发明涉及一种

本发明涉及一种带有终端结构的功率半导体器件，其包括具有第一导电类型的衬底层和具有第一导电类型的漂移层；所述漂移层设有第一掺杂区域和第二掺杂区域，所述第一掺杂区域位于第二掺杂区域的下方，所述第二掺杂区域位于漂移层表面；所述第二掺杂区域上设...

本实用新型提供了一种高可靠性半导体器件，属于半导体技术领域，该半导体器件包括基体，基体上间隔设置有第一导电类型阱，相邻两个第一导电类型阱之间设置有JFET区；第一导电类型阱内设有雪崩电荷缓冲区，雪崩电荷缓冲区包括第二导电类型阱源区以及第...

一种适用于高压功率芯片的终端结构，包括围绕高压功率芯片有源区以及过渡区的多个同心浮空场限环，在所述场限环上方覆盖有钝化层。本发明可以提高高压大功率芯片的终端可靠性，提高终端效率，同时，兼顾安全工作区，工艺简单，适合大规模产品应用。本发明...

本发明涉及一种低反向漏电流的肖特基二极管及制备方法，肖特基二极管包括元胞区，元胞区包括衬底层、外延层、高掺杂区、高肖特基势垒接触区域、中肖特基势垒接触区域、正面电极层、背面电极层；所述外延层位于所述衬底层之上。本发明通过在常规肖特基势垒...

本发明公开一种利用有机硅凝胶灌封IGBT器件的系统，涉及材料灌封技术领域，腔体上开设第一通孔、第二通孔和第三通孔，抽气泵的一端通过第一通孔与腔体的内部连通，抽气泵的另一端与第一三通阀的第一端连接，第一三通阀的第二端与废气处理装置连接，第...