一种集成混合式PiN-肖特基二极管的碳化硅MOSFET制造技术

本公开提供一种集成混合式PiN‑肖特基二极管的碳化硅MOSFET，可通过调节p+区域的宽度，自芯片边缘至芯片中央呈递增的非均匀分布规律，降低芯片中央区域较高的结温，使芯片的温度分布较为均匀；同时通过集成混合PiN‑肖特基二极管增强体二极管的导通性能和抗浪涌电流能力，避免外接续流二极管，从而降低电路设计复杂度和系统成本，提高SiC MOSFET可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件保护结构领域，具体涉及一种集成混合式pin-肖特基二极管的碳化硅金属-氧化物半导体场效应晶体管mosfet(metal-oxide-semiconductorfield-effect transistor，mosfet)。

技术介绍

1、传统硅基半导体器件的性能已经逐渐接近材料的物理极限，而采用以碳化硅为代表的第三代半导体材料所制作的器件具有高频、高压、耐高温、抗辐射等优异的工作能力。sic mosfet作为sic器件的代表，具备低导通损耗、快开关速度、高工作频率等诸多优异特性，现已逐渐在电动汽车、充电桩、新能源发电、工业控制、柔性直流输电等应用场景中得到推广和使用。

2、sic mosfet具有更高的效率与功率密度，非常适合应用于电能变换领域。然而，由于sic栅氧化层界面态密度较高、可靠性较差等问题的影响，sicmosfet一般难以承受较高的结温，sic mosfet芯片在工作状态下，由于芯片不同区域散热效率的不同，芯片不同区域间会出现温度梯度，芯片中央区域往往表现出较高的结温，使得sic mosfet芯片在部分区域结本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种集成混合式PiN-肖特基二极管的碳化硅MOSFET，其特征在于：

2.根据权利要求1中所述的碳化硅MOSFET，其特征在于，其肖特基区的宽度为1μm-10μm。

3.根据权利要求1中所述的碳化硅MOSFET，其特征在于，其中p+区的宽度，位于碳化硅MOSFET边缘的p+区的宽度为0.1μm-3.0μm，位于碳化硅MOSFET中央的p+区的宽度为1.0μm-10.0μm。

4.根据权利要求3中所述碳化硅MOSFET，其特征在于，自芯片边缘至芯片中央p+区宽度呈递增分布规律，递增梯度为1μm-10μm每微米。

5.根据权利要求1或4中所...

【技术特征摘要】

1.一种集成混合式pin-肖特基二极管的碳化硅mosfet，其特征在于：

2.根据权利要求1中所述的碳化硅mosfet，其特征在于，其肖特基区的宽度为1μm-10μm。

3.根据权利要求1中所述的碳化硅mosfet，其特征在于，其中p+区的宽度，位于碳化硅mosfet边缘的p+区的宽度为0.1μm-3.0μm，位于碳化硅mosfet中央的p+区的宽度为1.0μm-10.0μm。

4.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：牛喜平，桑玲，罗伟霞，张文婷，田琰，李晨萌，金锐，王鑫，李宾宾，
申请(专利权)人：北京智慧能源研究院，
类型：新型
国别省市：