IGBT器件内部结温获取方法、系统、可读存储介质及装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种IGBT器件内部结温获取方法、计算系统、存储介质及装置，属于功率半导体技术领域，该方法包括：获取I GBT模块确定I GBT芯片开启电压随温度变化的系数k<subgt;V</subgt;、I GBT芯片导通电阻随温度变化的系数k<subgt;R</subgt;；获取基准温度下I GBT模块各芯片电流的分布情况I；获取待测温度下I GBT模块各芯片电流的分布情况I’；根据k<subgt;V</subgt;、k<subgt;R</subgt;、I、I'计算得到待测温度下I GBT模块内部个芯片的温度分布情况。该方法通过获取I GBT模块的电流分布情况来获取I GBT模块内部各芯片的结温情况，可操作性强，能够降低I GBT模块各芯片的获取难度，能够解决实际测量I GBT模块各芯片结温较为困难的现状。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及功率半导体，尤其涉及一种igbt器件内部结温获取方法、计算系统及计算机可读存储介质及装置。

技术介绍

1、igbt模块是当前应用广泛的功率器件，这种功率器件在工作过程中，其工作温度不能超过其结温，否则会造成器件的损坏。igbt工作时的结温过高，超过了其所允许的最高结温，通常会造成永久性的不可逆失效。同时，长期工作在高温，会影响igbt寿命。igbt模块一般需要并联多个igbt芯片，由于模块内部结构紧凑，而且封装后一般需要灌胶、密封，因此在使用过程中模块内部各芯片的结温比较困难。但是实际应用中，模块内部温度的分布情况又是判断芯片是否超出安全工作区、判断芯片能否可靠工作的重要指标,因此模块设计工程师往往需要了解某些参数有差异的芯片封装在一个igbt模块后，内部结温的分布情况。

技术实现思路

1、为克服相关技术中存在的问题，本专利技术的目的之一是提供一种igbt器件内部结温获取方法，该方法通过获取igbt模块的电流分布情况来获取igbt模块内部各芯片的结温情况，可操作性强，能够降低igbt模块各芯片的本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种IGBT器件内部结温获取方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的IGBT器件内部结温获取方法，其特征在于：

3.根据权利要求1所述的IGBT器件内部结温获取方法，其特征在于：

4.根据权利要求3所述的IGBT器件内部结温获取方法，其特征在于：

5.根据权利要求3所述的IGBT器件内部结温获取方法，其特征在于：

6.根据权利要求1所述的IGBT器件内部结温获取方法，其特征在于：

7.根据权利要求6所述的IGBT器件内部结温获取方法，其特征在于：

8.根据权利要求7所述的IGBT器件内部结温...

【技术特征摘要】

1.一种igbt器件内部结温获取方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的igbt器件内部结温获取方法，其特征在于：

3.根据权利要求1所述的igbt器件内部结温获取方法，其特征在于：

4.根据权利要求3所述的igbt器件内部结温获取方法，其特征在于：

5.根据权利要求3所述的igbt器件内部结温获取方法，其特征在于：

6.根据权利要求1所述的igbt器件内部结温获取方法，其特征在于：

7.根据权利要求6所述的igbt器件内部结温获取方法，其特征在于：

8.根据权利要求7所述的igbt器件内部结温获取方法，其特征在于：

9.根据权利要求4所述的igbt器件内部结温获取方法，其特征在于：

10.一种计算系统，其特征在于：所述系统用于执行如权利要求1-9任一项所述的igbt器件内部结温获取方法。

11.一种计算机可读存储介质，其特征在于：所述计算机可读存储介质上存储有igbt器件内部结温获取程序，所述igbt器...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙帅，李浩，鲁燕青，高凯，曹培，黄兴德，魏晓光，金锐，李学宝，唐新灵，周扬，
申请(专利权)人：北京智慧能源研究院，
类型：发明
国别省市：