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本技术提供一种电子元件，其具有下结构或特征。二极管形成在主动区。二极管包括嵌入于主动区域的第一部分的P型组成，嵌入于主动区域的第二部分的N型组成，以及位于P型组成和N型组成之间的未掺杂组成。互连结构形成在二极管的第一侧上。互连结构的不同部分...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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