一种异质结电池及其制备方法技术

本发明专利技术属于异质结电池领域，具体公开一种异质结电池及其制备方法，通过栅线电极对应区域沉积重掺杂非晶硅，降低高寄生吸收、表面悬挂键和界面态密度，提高开压和异质结电池效率。本发明专利技术主要技术方案为：一种异质结电池，N型硅衬底正面和背面栅线电极对应区域设凹槽；设本征非晶硅层；轻掺杂P型非晶硅层设于正面本征非晶硅层上，轻掺杂N型非晶硅层设于背面本征非晶硅层上，重掺杂P型非晶硅层设于轻掺杂P型非晶硅层上凹槽对应区域，重掺杂N型非晶硅层设于轻掺杂N型非晶硅层上凹槽对应区域，P型掺杂非晶硅层和N型掺杂非晶硅层上分别设透明导电氧化物层，栅线电极设于透明导电氧化物层上。本发明专利技术主要用于发电。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及异质结电池，尤其涉及一种异质结电池及其制备方法。

技术介绍

1、主流异质结电池（heterojunction with intrinsic thin layer，hjt）由n型硅衬底、双面本征非晶硅层、双面重掺杂非晶硅层（背面n型非晶硅：磷掺杂非晶硅形成背场、正面p型非晶硅：硼掺杂非晶硅形成发射极）、双面tco层以及正背面栅线组成。其中，双面重掺杂非晶硅层与双面本征非晶硅薄膜和硅片衬底共同形成p-n异质结和背表面场，是hjt电池实现光电转换的关键结构，能够有效地分离光生载流子。然而，对于n型非晶硅和p型非晶硅而言，具有较高的掺杂浓度，导致非晶硅网络结构畸变，形成更多的悬挂键、微空洞等结构缺陷，造成表面复合和界面态密度升高，同时带来高寄生吸收，最终降低开压，影响异质结电池的效率。

技术实现思路

1、有鉴于此，本专利技术实施例提供一种异质结电池及其制备方法，用于降低异质结电池的p型掺杂非晶硅层和n型掺杂非晶硅层的表面复合和界面态密度，同时降低该膜层的寄生吸收。

2、为达到上述目的，本专利本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种异质结电池，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的异质结电池，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的异质结电池，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的异质结电池，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的异质结电池，其特征在于，

6.根据权利要求1所述的异质结电池，其特征在于，

7.根据权利要求1所述的异质结电池，其特征在于，

8.根据权利要求1所述的异质结电池，其特征在于，

9.一种异质结电池的制备方法， 其特征在于，用于制备如上述权利要求1-8中任一项所述的异质结电池，所述制备方...

【技术特征摘要】

1.一种异质结电池，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的异质结电池，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的异质结电池，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的异质结电池，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的异质结电池，其特征在于，

6.根据权利要求1所述的异质结电池，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：于波，苏政，马红娜，李倩，赵学玲，翟金叶，周渊博，于航，李洋，史金超，张东升，麻超，刘莹，
申请(专利权)人：英利能源发展有限公司，
类型：发明
国别省市：