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本发明属于异质结电池领域，具体公开一种异质结电池及其制备方法，通过栅线电极对应区域沉积重掺杂非晶硅，降低高寄生吸收、表面悬挂键和界面态密度，提高开压和异质结电池效率。本发明主要技术方案为：一种异质结电池，N型硅衬底正面和背面栅线电极对应区域...
该专利属于英利能源发展有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过英利能源发展有限公司授权不得商用。

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