根据本公开实施例的半导体结构包括：未掺杂半导体部件，位于衬底中；第一底部纳米结构和第二底部纳米结构，位于衬底上方；底部外延部件，位于未掺杂半导体部件上方以及第一底部纳米结构和第二底部纳米结构之间；第一隔离层，位于第一底部纳米结构上方；第...

本发明的实施例提供了用于开发和优化电子器件的电子架构设计的方法和计算机系统。在各种实施例中，本发明的电子设计自动化(EDA)优化了电子器件的一个或多个电子架构设计的设计、模拟、分析和验证。本发明的EDA从一个或多个电子架构设计中识别一个...

本公开提供一种电路结构，包括第一双极性接面晶体管(BJT)，形成在超晶格结构上，第一双极性接面晶体管具有第一基极、第一射极以及第一集极；以及第二双极性接面晶体管，形成在超晶格结构上，第二双极性接面晶体管具有第二基极、第二射极以及第二集极...

本技术的实施例提供一种晶体管结构及半导体装置，晶体管结构包括栅电极、p型氧化物半导体通道层以及在所述栅电极和所述p型氧化物半导体通道层之间的栅极介电层，其中所述p型氧化物半导体通道层的晶格结构的主要晶相是由(110)晶相组成。氧化物半导...

一种记忆体装置包括：一装置层；以及在装置层上的互连结构，互连结构包括电阻式随机存取记忆体(RRAM)装置。电阻式随机存取记忆体装置包括：高于装置层的电极层；在电极层上的氧化物半导体层；围绕氧化物半导体层的栅极结构；在栅极结构上的绝缘层；...

本技术提供一种半导体晶圆输送系统。这些系统包括悬挂轨道、配置为沿悬挂轨道行驶的第一载具，以及配置为替换第一载具上的第一轮组件的应急轮组件，而第一载具保留在悬挂轨道上，应急轮组件包括配置为在第一载具的轴上自由旋转的轮。在一些示例中，系统可...

本技术实施例涉及一种集成电路装置。集成电路装置包含：衬底，其包括半导体装置；第一互连结构，其设置于所述半导体装置上方，其中所述第一互连结构包括：多个第一通路；及第一导电金属，通过所述第一通路电耦合到所述半导体装置；电介质层，其环绕所述第...

本发明提供一种制造半导体的装置系统，包括：表示半导体装置的未验证主体布局图，系统被配置为产生以下内容：特征提取模块，配置为提取至少部分包含未验证主体布局图的主体特征；以及设计规则(DR)执行模块，包括设计规则检查(DRC)模块和布局图修...

本公开涉及半导体器件结构及其形成方法。本公开的实施例提供了一种半导体器件结构及其形成方法。该结构包括：第一半导体层；第二半导体层，设置在第一半导体层之上；栅极电介质层，设置在第一半导体层和第二半导体层之间；以及电介质材料的第一区域和第二...

本申请涉及用于金属栅极填料的化学镀方法。在用于纳米片FinFET器件的栅极替换工艺中，实施例采用电化学工艺来将金属栅极电极沉积在栅极开口中。可以使用促进剂和抑制剂来针对金属栅极电极的填充材料实现自下而上的沉积。

可以通过以下方式提供器件结构：在介电材料层内形成底部电极和加热器元件；沉积并且图案化包括底部衬垫层、包含相变材料的相变材料层、和顶部电极材料层的连续的层堆叠件；通过沉积并且图案化侧壁衬垫材料，形成至少一个侧壁衬垫。至少一个侧壁衬垫形成在...

本申请的实施例公开了存储器器件及用于形成半导体器件的方法。存储器器件包括具有彼此相对的第一侧和第二侧的衬底；第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管，形成在衬底的第一侧上的第一层级处，第一至第三晶体管均形成有第一导电性；以及第四晶体管、第五晶...

在实施例中，方法包括：形成包括交替的半导体纳米结构和伪纳米结构的多层堆叠件；形成下部源极/漏极区域，其中，半导体纳米结构的下部半导体纳米结构在下部源极/漏极区域之间延伸；在下部源极/漏极区域上方形成上部源极/漏极区域，其中，半导体纳米结...

本公开涉及EUV光掩模及其制造方法。一种制造光掩模的方法包括在光掩模坯料上方形成边界层。光掩模坯料包括：衬底、布置在衬底上方的反射性多层以及布置在反射性多层上方的吸收体层。去除边界层的一部分以形成由边界层围绕的凹部，并且在凹部中选择性地...

提供一种功率放大器和差动功率放大器。上述功率放大器包括被配置为自一信号源接收一输入信号的一输入匹配电路。一放大器电路被连接至上述输入匹配电路。上述放大器电路被配置为自上述输入匹配电路接收上述输入信号，并放大上述输入信号以产生一输出信号。...

本技术提供一种集成电路包括半导体衬底以及内连线结构。内连线结构配置在半导体衬底上。内连线结构包括信号传输结构以及散热结构。散热结构配置在信号传输结构上，且包括复合介电层以及第一导电特征。每一复合介电层包括晶种层以及配置在晶种层上的散热层...

在实施例中，方法包括：在半导体衬底上方形成多层堆叠件，该多层堆叠件包括交替的半导体纳米结构和伪纳米结构；形成下部源极/漏极区域，其中半导体纳米结构的下部半导体纳米结构在下部源极/漏极区域之间延伸；在下部源极/漏极区域上方形成上部源极/漏...

本技术涉及一种半导体装置及影像传感器，包括设置于衬底内的多个光探测器的半导体装置，其中衬底具有与背面相对的正面。所述半导体装置包括设置于衬底中的浮置扩散节点，其中多个光探测器设置于浮置扩散节点周围。沟渠隔离结构设置于衬底内且侧向围绕多个...

本公开实施例提供了IC结构及其形成方法，IC结构包括：衬底，具有SRAM区域、逻辑区域和跨越在SRAM区域和逻辑区域之间的边缘区域；掺杂阱，形成在衬底中，并且包括第一N阱、第二N阱和P阱；有源区域，形成在掺杂阱上并且沿第一方向纵向取向；...

本技术实施例提供一种集成晶粒。一种集成晶粒包括衬底、半导体波导层、导电加热器线、第一加热器接点及第二加热器接点。半导体波导层位于衬底上方。半导体波导层的基部部分延伸横跨于衬底上方。半导体波导层的脊部部分向上突出于基部部分。导电加热器线间...