本发明提供一种制造光学器件的方法和所形成的光学器件，其中方法包括在晶片（wafer）周围形成电介质材料，在电介质材料内形成开口，通过将半导体材料堆栈接合到电介质材料来密封开口；以及使用半导体材料堆栈形成至少一个光学器件。

本发明提供一种影像传感器像素包括配置在半导体衬底中的光传感器。为了提供隔离以减少像素间串扰并增加调制转换函数（MTF），刻蚀停止层配置在半导体衬底的第一表面上，并且与设置在第一表面上的刻蚀停止层相对的第二表面刻蚀深沟槽。刻蚀在刻蚀停止层...

提供了一种用于形成半导体结构的方法。该方法包括：形成隔离结构以围绕有源区的下部，横跨有源区形成栅极堆叠件，形成穿过栅极堆叠件的沟槽，在沟槽中形成导电部件，在隔离结构的背面上沉积金属材料，以及平坦化金属材料、隔离结构、导电部件、和有源区的...

本揭露的一实施方式涉及一种光刻遮罩及制造光刻遮罩的方法。此方法包括在基板上形成多层反射结构。在多层反射结构上方形成盖层。在盖层上方形成缓冲层，并在缓冲层上方形成吸收层。吸收层至少包括第一吸收层及第二吸收层，各吸收层均包括非合金元素，且第...

根据本公开的方法包括在衬底上方形成半导体堆叠件，该半导体堆叠件包括由第二半导体层交错的第一半导体层，图案化半导体堆叠件和衬底以形成鳍形结构，在鳍形结构上方形成伪栅极堆叠件，使鳍形结构凹进以形成源极/漏极凹槽，使多个第二半导体层选择性地凹...

本申请的实施例公开了半导体器件的单元区及其形成方法。该单元区包括：有源区；栅极段和金属至源极/漏极区(MD)接触件；通孔至栅极(VG)接触件；通孔至接触件(VD)接触件；VG接触件和VD接触件对应地对齐于在第一方向上延伸的阿尔法轨道；对...

本技术提供一种集成电路器件，其包括衬底，所述衬底包括第一表面和第二表面、配置在衬底的第二表面上的第一介电层、配置在第一介电层中的光检测器和光学边缘耦合器、配置在第一介电层上的至少一个介电层、配置在至少一个介电层中的导电结构、配置在集成电...

在介电结构上方形成掩模层。掩模层包括暴露介电结构的部分的开口。在掩模层上形成保护层。保护层覆盖开口的至少侧面。在形成保护层之后，对掩模层执行定向蚀刻工艺。在第一方向上执行定向蚀刻工艺，同时保护层保护掩模层免受在与第一方向不同的第二方向上...

一种半导体器件，包括第一存储器单元区域、相邻于第一存储器单元区域的第二存储器单元区域，以及夹设于第一存储器单元区域和第二存储器单元区域之间的中间带区域。根据一些实施例，中间带区域包括馈通电路，馈通电路将半导体器件的正面的第一金属层电耦接...

一种方法，包括形成第一晶圆和形成第二晶圆。形成第一晶圆包括：在第一衬底上方形成第一半导体层，和在第一半导体层上方沉积包括第一顶部的第一介电层。第一介电层包括第一介电材料。形成第二晶圆包括：在第二衬底上方形成第二半导体层，和在第二半导体层...

方法包括形成下部半导体纳米结构和上部半导体纳米结构，以及形成下部源极/漏极区域，包括执行第一外延工艺以分别从下部半导体纳米结构和上部半导体纳米结构生长第一半导体隔离层和第二半导体隔离层。该方法还包括执行第二外延工艺，以通过自下而上的沉积...

本公开涉及外延区域中的连续高掺杂浓度。一种方法包括形成多个半导体纳米结构。多个半导体纳结构中的上部半导体纳米结构与多个半导体纳米结构中的相应下部半导体纳米结构交叠。方法还包括在多个半导体纳米结构旁形成源极/漏极凹部，其中，源极/源极凹部...

本揭露是关于一种封装结构，该封装结构包括一基板。一封装位于该基板上。一轮廓环设置于该基板上，其中该轮廓环环绕该封装且具有一开口。一上盖设置于该轮廓环上，其中该上盖具有延伸至该轮廓环的该开口中的一部分。

本申请的实施例公开了存储器器件及其形成方法。存储器器件包括交叉锁存器、第一、第二、第三和第四晶体管以及第一读取位线。第一晶体管包括沿第一方向延伸并且处于第一层级的第一栅极。第二晶体管包括位于第一层级下方的第二层级上的第二栅极。第三晶体管...

本技术提供一种半导体晶粒及中介层。实施例半导体晶粒可以包括硅衬底和形成在硅衬底中的第一穿硅通孔(TSV)，使得第一TSV包括从硅衬底的表面突出的第一突出部分。实施例半导体晶粒还可以包括位于硅衬底的表面和与第一TSV的第一接点表面平行的平...

本揭露描述了一种半导体元件以及形成馈通穿孔的方法。于基材上形成纵向馈通穿孔的方法包含：暴露基材的前侧上的微动区中的半导体鳍片的部位。移除半导体鳍片的经暴露的部位以创建第一沟槽。以至少一介电材料填充第一沟槽以形成介电沟槽。蚀刻介电沟槽至中...

本技术提供一种半导体光子装置，包括光波导结构，其具有俯视尺寸和/或形状，使得闭合回路光波导结构能够实现特定的光学信号损耗。光波导结构可以制造成具有多边形俯视形状，其中光波导结构包括多个节段。光波导结构可以制造成具有特定半径、具有特定数量...

本技术实施例的垂直堆叠半导体装置包括位于多个凸块结构下方的中间重布线路层接垫。中间重布线路层接垫位于第一半导体衬底和多个凸块结构之间。凸块结构包括金属层和位于金属层与中间重布线路层接垫之间的具有较低焊料润湿性的阻挡层。阻挡层可限制沿着凸...

本技术的实施例提供一种半导体结构包括第一半导体管芯、在第一半导体管芯下面并接合到第一半导体管芯的第二半导体管芯以及设置在第二半导体管芯之上的绝缘包封体。第一半导体管芯包括半导体衬底和在半导体衬底下面的内连线结构。第一半导体管芯的半导体衬...

本申请的实施例公开了半导体结构及其形成方法。该方法包括在第一器件区域中形成第一多层堆叠，在第一多层堆叠上方形成第一栅极堆叠件，在第二器件区域中形成第二多层堆叠，在第二多层堆叠上方形成第二栅极堆叠件，蚀刻第一多层堆叠以形成第一源极/漏极凹...