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本发明涉及一种半导体装置及半导体装置的制造方法。本发明的半导体装置具备：层间绝缘膜(14)；层间绝缘膜(13)，积层于层间绝缘膜(14)而配置；金属焊垫(38)，设置在层间绝缘膜(14)中；金属焊垫(41)，设置在层间绝缘膜(13)中，与金...
该专利属于铠侠股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过铠侠股份有限公司授权不得商用。

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