半导体结构及其制作方法技术

本申请提供一种半导体结构及其制作方法，涉及半导体技术领域，用于解决半导体结构的导通电流低的技术问题。半导体结构包括衬底、覆盖衬底的阻挡层、第一调整层和第一接触结构；衬底包括多个间隔设置的有源区，有源区包括第一接触区，阻挡层设置有多个间隔设置的第一接触孔，每个第一接触孔贯穿阻挡层并延伸至衬底内部暴露一个第一接触区；第一调整层位于第一接触孔的侧壁；第一接触结构填充第一调整层和第一接触区所围合的区域内。第一接触结构中与第一调整层相接触的一层原子需适应第一调整层，其产生拉应力或者压应力，拉应力或者压应力使得第一接触结构的电子迁移率提高，从而提高第一接触结构的导通电流，进而提高半导体结构的性能。构的性能。构的性能。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其制作方法


[0001]本申请涉及半导体
，尤其涉及一种半导体结构及其制作方法。

技术介绍

[0002]随着半导体技术的发展，半导体结构被广泛地应用在各种电子设备中。半导体结构的关键尺寸(Critical Dimension)越来越小，以适应电子设备小型化、集成度的需求。随着半导体结构的关键尺寸的减少，尤其是当半导体结构的关键尺寸小于或者等于28nm时，半导体结构的导通电流降低，影响半导体结构的性能。

技术实现思路

[0003]鉴于上述问题，本申请实施例提供一种半导体结构及其制作方法，用于提高半导体结构的导通电流，从而提高半导体结构的性能。
[0004]根据一些实施例，本申请的第一方面提供一种半导体结构，其包括：衬底、覆盖所述衬底的阻挡层、第一调整层和第一接触结构；所述衬底包括多个间隔设置的有源区，所述有源区包括第一接触区，所述阻挡层设置有多个间隔设置的第一接触孔，每个所述第一接触孔贯穿所述阻挡层并延伸至所述衬底内部暴露一个所述第一接触区；所述第一调整层位于所述第一接触孔的侧壁；所述第一接触结构填充所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底、覆盖所述衬底的阻挡层、第一调整层和第一接触结构；所述衬底包括多个间隔设置的有源区，所述有源区包括第一接触区，所述阻挡层设置有多个间隔设置的第一接触孔，每个所述第一接触孔贯穿所述阻挡层并延伸至所述衬底内部暴露一个所述第一接触区；所述第一调整层位于所述第一接触孔的侧壁；所述第一接触结构填充所述第一调整层和所述第一接触区所围合的区域。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一接触结构的晶格常数与所述第一调整层的晶格常数不同。3.根据权利要求1或2所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：位线结构，所述位线结构包括位于所述阻挡层上方的多条间隔设置且沿第一方向延伸的位线，所述位线与所述第一接触结构电连接。4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：隔离层、第二接触孔、第二调整层、第二接触结构；所述隔离层覆盖所述位线结构；所述第二接触孔位于相邻的两条位线之间，贯穿所述隔离层、所述阻挡层并延伸至所述衬底内部，暴露出所述有源区的第二接触区；所述第二调整层位于所述第二接触孔的侧壁；所述第二接触结构填充所述第二调整层和所述第二接触区所围合的区域。5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：电容结构，所述电容结构包括多个间隔排布的电容，每个所述电容与每个所述第二接触结构一一对应电连接。6.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述第二接触结构的晶格常数与所述第二调整层的晶格常数不同。7.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述第一调整层和第二调整层的材质包括锗化硅、碳化硅或者碳化锗硅。8.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述第一调整层和第二调整层的厚度为4
‑
6nm；所述第二调整层的材料与所述第一调整层的材料不同。9.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括多个间隔设置的有源区，所述有源区包括第一接触区；去除部分所述衬底，形成多个间隔设置的第一接触孔，每个所述第一接触孔暴露一个所述第一接触区；在所述第一接触孔的侧壁形成第一调整层；在所述第一调整层的表面和所述第一接触区形成第一接触结构。10.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，所述第一接触结构的晶格常数与所述第一调整层的晶格常数不同。11.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，去除部分所述衬底，形成多个间隔设置...

【专利技术属性】
技术研发人员：李松雨，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：