温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本申请提供一种半导体结构及其制作方法，涉及半导体技术领域，用于解决半导体结构的导通电流低的技术问题。半导体结构包括衬底、覆盖衬底的阻挡层、第一调整层和第一接触结构；衬底包括多个间隔设置的有源区，有源区包括第一接触区，阻挡层设置有多个间隔设置...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。