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本发明提供一种能提高可靠性的半导体装置及半导体装置的制造方法。本实施方式的半导体装置具备：绝缘部件，具有第1面；柱状电极，具有至少1层第1金属层、及第2金属层，所述至少1层第1金属层沿与所述第1面大致垂直的方向延伸到所述绝缘部件中，且至少一...
该专利属于铠侠股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过铠侠股份有限公司授权不得商用。

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