半导体存储装置具备多个导电层、与多个导电层对向的半导体层、及设置于它们之间的栅极绝缘膜。当将第1导电层的第1方向上的一侧的面所对应的位置设为第1位置，将第1导电层的第1方向上的另一侧的面所对应的位置设为第2位置，将第1位置及第2位置的中...

实施方式提供一种能够抑制贴合面及贴合面附近的不良情况的半导体装置、晶圆及晶圆的制造方法。实施方式的半导体装置具有第1积层体、及与第1积层体贴合的第2积层体。第1积层体具有设置在第1积层体与第2积层体贴合的第1贴合面的第1焊垫。第2积层体...

实施方式提供能够增加数据擦除时的空穴的供给量的半导体存储装置及其制造方法。本实施方式的半导体存储装置具备第一布线、第二布线、存储柱、半导体层和接触插塞。第二布线相对于第一布线设置在第一方向上的上方。存储柱在第一方向上贯通第一布线及第二布...

一种存储器装置包含：第一、第二芯片，其在被划分为第一区域、第二区域及第三区域的第一表面上彼此接触。所述第一芯片包含：衬底，其包含第一导电类型的第一扩散区域及第二导电类型的第二扩散区域；第一电极单位，其包含连续导体；及第二电极单位。所述第...

本发明提供一种能够适当地配置多个芯片的半导体装置及半导体装置的制造方法。一实施方式的半导体装置具备：配线衬底，设置有配线层；第1半导体芯片，设置于所述配线衬底的上方，且在所述配线衬底侧的面形成有第1焊垫；第2半导体芯片，在所述配线衬底的...

实施方式提供一种良好地进行动作的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备在第1方向上交替地排列的多个第1存储器层及多个第2存储器层。多个第1、2存储器层具备多个存储器串、及共通连接于这些存储器串的第1配线。多个第1、2存储器层具备：...

本公开涉及电子器件。改善使用了BGA的电子器件的信号品质。实施方式的电子器件(1)包括第1基板(10)、第2基板(20)、第1导电体(SB)、第2导电体(SP)及第1电子部件(MC)。第1基板10具有第1连接器部(CP)、配置于上表面的...

实施方式提供能够适当地制造的半导体存储装置，具备：沿第1方向(Z)排列的多个第1导电层(WL)；相对于多个第1导电层设置于第1方向的一侧的位线(BL)；设置于多个第1导电层与位线间的第2导电层(SGDT)及第1绝缘层(SHE)；与多个第...

实施方式提供能够削减动作电流的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置中，第1读出动作包括对第1导电层供给读出通过电压的第1读出通过电压供给动作、对第1导电层供给比读出通过电压小的读出电压的第1读出电压供给动作以及对第1导电层供给读出通...

本发明的实施方式涉及一种蚀刻方法、蚀刻装置、半导体装置的制造方法及原版的制造方法。本实施方式的蚀刻方法的一例包括：第1工序，通过向衬底供给包含卤素的气体，或将所述衬底保持在包含卤素的气体氛围中，而在所述衬底上形成包含所述卤素的表面修饰层...

实施方式提供集成性高的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具有层叠体、多条位线以及多个柱状体。多条位线包括第1位线、第2位线、第3位线以及第4位线。多个柱状体包括第1柱状体、第2柱状体、第3柱状体、第4柱状体、第5柱状体、第6柱状体...

实施方式提供能够使基板彼此良好地贴合的半导体装置及其制造方法。根据一个实施方式，半导体装置的制造方法包括：以在第一基板上产生翘曲的方式，在第一基板上的多个第一区域中的每一个上形成第一金属焊盘。所述方法还包括：在第二基板上的多个第二区域中...

本发明的半导体存储装置具备：第1～3导电层，在第1方向上排列；第4～6导电层，在第1方向上排列；第1半导体层，设置在第1～3导电层与第4～6导电层之间，且沿第1方向延伸；以及电荷蓄积层，具备设置在第1～3导电层与第1半导体层之间的第1部...

实施方式提供一种能够抑制可靠性的降低的半导体装置以及半导体存储装置。实施方式的半导体装置具备：氧化物半导体层，沿第一方向延伸；栅极电极，在与第一方向交叉的第二方向上与氧化物半导体层重叠；栅极绝缘膜，设置于栅极电极与氧化物半导体层之间；第...

实施方式提供一种能够提高含铟化合物膜的加工性的半导体装置的制造方法。实施方式的半导体装置的制造方法中，在形成于衬底之上的含铟化合物膜(24X)上形成电极层(22)，在电极层(22)之上形成掩模层，在对掩模层进行加工之后，对电极层(22)...

实施方式提供能够抑制面积的增加以及消耗电流量的增加并且抑制输出电压的波动的大小的增大的电压生成电路以及具备该电压生成电路的半导体存储装置。实施方式的电压生成电路具备：多个电荷泵，各自与第一节点连接；以及控制电路，基于上述第一节点的电压满...

本发明提供一种能够实现半导体装置的窄间距化的半导体装置及半导体装置的制造方法。本实施方式的半导体装置具备：基底基板，其包含布线层；第一芯片，其设置在所述基底基板之上；第二芯片，其设置在所述第一芯片之上；以及树脂膜，其设置在所述第一芯片的...

实施方式提供一种恰当地动作的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备存储单元阵列及周边电路。存储单元阵列具备多个第1半导体层及多个第1通孔电极。周边电路具备：多个第1节点，与多个第1通孔电极对应设置；充电电路，对多个第1节点进行充电...

实施方式提供能够使抗蚀剂膜的表面的平坦性良好的半导体制造装置以及半导体装置的制造方法。实施方式的半导体制造装置具备：收容部，收容基板；支承部，支承所述收容部内的所述基板；以及抗蚀剂材料供给部，向所述基板上供给抗蚀剂材料。所述装置还具备抗...

实施方式提供晶体管特性优异的半导体器件以及半导体存储器件。实施方式的半导体器件具备：第1电极；第2电极；第1氧化物半导体层，其设置在第1电极与第2电极之间；栅电极，其与第1氧化物半导体层相对向；第2氧化物半导体层，其设置在栅电极与第1氧...