半导体器件以及半导体存储器件制造技术

实施方式提供晶体管特性优异的半导体器件以及半导体存储器件。实施方式的半导体器件具备：第1电极；第2电极；第1氧化物半导体层，其设置在第1电极与第2电极之间；栅电极，其与第1氧化物半导体层相对向；第2氧化物半导体层，其设置在栅电极与第1氧化物半导体层之间，与第1电极相分离；以及栅极绝缘层，其设置在栅电极与第2氧化物半导体层之间。与第2氧化物半导体层之间。与第2氧化物半导体层之间。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件以及半导体存储器件
[0001]本申请享受以日本专利申请2022－041799号(申请日：2022年3月16日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。


[0002]本专利技术的实施方式涉及半导体器件以及半导体存储器件。

技术介绍

[0003]在氧化物半导体层形成沟道的氧化物半导体晶体管具有截止(off)动作时的沟道泄漏电流极小这一优异特性。因此，例如能够将氧化物半导体晶体管应用于动态随机访问存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)的存储单元的开关晶体管。

技术实现思路

[0004]本专利技术要解决的技术课题在于提供晶体管特性优异的半导体器件。
[0005]实施方式的半导体器件具备：第1电极；第2电极；第1氧化物半导体层，其设置在所述第1电极与所述第2电极之间；栅电极，其与所述第1氧化物半导体层相对向；第2氧化物半导体层，其设置在所述栅电极与所述第1氧化物半导体层之间，与所述第1电极相分离；以及栅极绝缘层，其设置在所述栅电极与所述第2氧化本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，具备：第1电极；第2电极；第1氧化物半导体层，其设置在所述第1电极与所述第2电极之间；栅电极，其与所述第1氧化物半导体层相对向；第2氧化物半导体层，其设置在所述栅电极与所述第1氧化物半导体层之间，与所述第1电极相分离；以及栅极绝缘层，其设置在所述栅电极与所述第2氧化物半导体层之间。2.根据权利要求1所述的半导体器件，所述第1氧化物半导体层与所述第1电极以及所述第2电极相接。3.根据权利要求2所述的半导体器件，所述第1氧化物半导体层包括：在与从所述第1电极朝向所述第2电极的第1方向垂直的面中由所述第1电极包围的第1部分。4.根据权利要求1所述的半导体器件，在所述第2氧化物半导体层与所述第1电极之间设置有所述栅极绝缘层。5.根据权利要求1所述的半导体器件，所述栅电极将所述第1氧化物半导体层包围。6.根据权利要求1所述的半导体器件，所述第1氧化物半导体层的化学组成与所述第2氧化物半导体层的化学组成不同。7.根据权利要求6所述的半导体器件，所述第2氧化物半导体层的铟即In的原子浓度比所述第1氧化物半导体层的铟即In的原子浓度高。8.根据权利要求6所述的半导体器件，所述第1氧化物半导体层的镓即Ga的原子浓度比所述第2氧化物半导体层的镓即Ga的原子浓度高。9.根据权利要求1～8中任一项所述的半导体器件，所述第2氧化物半导体层与所述第2电极相分离。10.根据权利要求9所述的半导体器件，在所述第2氧化物半导体层与所述第2电极之间设置有所述第1氧化物半导体层。11.一种半导体存储器件，具备：第1电极；第2电极；第1氧化物半导体层，其设...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐久间惠子，盐川太郎，佐久间究，
申请(专利权)人：铠侠股份有限公司，
类型：发明
国别省市：