曝光装置和布线图案的制作方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供曝光装置和布线图案的制作方法。在半导体封装制造工艺等中，进行能够抑制吞吐量降低的布线的图案化。在FO

【技术实现步骤摘要】
曝光装置和布线图案的制作方法


[0001]本专利技术涉及半导体封装的制造工艺中的布线的图案化，特别是，涉及以晶片级对半导体进行封装的技术(Wafer
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Level
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Package：晶片级封装，以下WLP)中的布线的图案化。

技术介绍

[0002]在WLP中，在将半导体芯片(以下，也称为IC、管芯)或无源部件等电子元件配置在临时的支承基板上并使用树脂进行密封之后，进行RDL(Re Distribution Layer：再分布层)布线。之后，通过切割获得半导体封装(将这样的工艺称为先模制(先芯片)型WLP)。
[0003]例如，已知有：FI(Fan
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In：扇入)
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WLP，其在芯片尺寸的范围内，将管芯的I/O端子布线到可搭载主板的BGA(Ball Grid Array：球栅阵列)的配置位置；FO(Fan
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Out：扇出)
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WLP，其在管芯周围利用树脂进行伪扩展而进行RDL布线。在FO
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WLP中，通过对多个半导本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种曝光装置，其特征在于，该曝光装置具有：曝光数据生成部，其将区域内布线图案和区域外布线图案转换为光栅数据，并生成曝光数据，其中，所述区域内布线图案形成于配置在支承基板上的管芯的尺寸或比所述管芯大的尺寸的布线区域内，所述区域外布线图案与该区域内布线图案在设计上相连，对所述管芯和相邻的管芯或电子元件进行连接；以及位置偏移测量部，其测量所述管芯相对于基准位置的位置偏移，所述曝光数据生成部生成补充布线图案，该补充布线图案将由于根据所述管芯的位置偏移对区域内布线图案的形成位置进行了校正而处于端部彼此分离的状态的区域内布线图案和区域外布线图案连接起来，根据将区域内布线图案、区域外布线图案、补充布线图案合成所得到的曝光数据而执行曝光动作。2.根据权利要求1所述的曝光装置，其特征在于，所述曝光数据生成部生成圆弧状图案作为补充布线图案。3.根据权利要求2所述的曝光装置，其特征在于，所述曝光数据生成部通过提取圆状图案的一部分而生成圆弧状的补充布线图案。4.根据权利要求3所述的曝光装置，其特征在于，所述曝光数据生成部通过掩模处理而生成圆弧状的补充布线图案。5.根据权利要求4所述的曝光装置，其特征在于，所述曝光数据生成部根据形成位置被校正后的区域内布线图...

【专利技术属性】
技术研发人员：奥山隆志，渡边徹，
申请(专利权)人：株式会社ORC制作所，
类型：发明
国别省市：