曝光装置和布线图案的制作方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供曝光装置和布线图案的制作方法。在半导体封装制造工艺等中，进行能够抑制吞吐量降低的布线的图案化。在FO

【技术实现步骤摘要】
曝光装置和布线图案的制作方法


[0001]本专利技术涉及半导体封装的制造工艺中的布线的图案化，特别是，涉及以晶片级对半导体进行封装的技术(Wafer
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Level
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Package：晶片级封装，以下WLP)中的布线的图案化。

技术介绍

[0002]在WLP中，在将半导体芯片(以下，也称为IC、管芯)或无源部件等电子元件配置在临时的支承基板上并使用树脂进行密封之后，进行RDL(Re Distribution Layer：再分布层)布线。之后，通过切割获得半导体封装(将这样的工艺称为先模制(先芯片)型WLP)。
[0003]例如，已知有：FI(Fan
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In：扇入)
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WLP，其在芯片尺寸的范围内，将管芯的I/O端子布线到可搭载主板的BGA(Ball Grid Array：球栅阵列)的配置位置；FO(Fan
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Out：扇出)
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WLP，其在管芯周围利用树脂进行伪扩展而进行RDL布线。在FO
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WLP中，通过对多个半导体芯片进行封装化(Multi Chip FO
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WLP：多芯片FO
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WLP)，能够实现将半导体芯片、无源部件等各种电子器件集成并模块化的SiP(System in Package：系统级封装)。
[0004]在先模制型WLP中，各个半导体芯片等相对于作为基准的设计上的位置产生随机的位置偏移。因此，需要根据位置偏移来校正以CAD/CAM格式制作的布线图案数据。
[0005]例如，相应于位置偏移的半导体芯片，根据设计信息中所包含的网络表来求取与外部电极连接的布线图案，生成布线图案数据(参照专利文献1)。并且，对针对根据半导体芯片尺寸等确定的区域(zone)所制定的布线图案进行重新转换(重新采样)(参照专利文献2)。
[0006]专利文献1：日本特许5779145号公报
[0007]专利文献2：日本特许5767255号公报
[0008]需要通过在曝光前进行的照相机摄影等来测量各个半导体芯片的位置偏移。因此，在测量后重新设计布线图案的作业需要时间。特别是，伴随着基板的多层化、基于FO
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WLP的SiP的要求变高，布线图案的数据校正处理需要大量时间，对吞吐量产生影响。

技术实现思路

[0009]因此，在半导体封装制造工艺等中，期求能够抑制吞吐量降低的布线的图案化。
[0010]本专利技术的曝光装置能够在WLP等半导体封装制造工艺中实现RDL布线等布线的图案化。例如，可以应用于基于FI
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WLP、FO
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WLP、多芯片FO
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WLP等的SiP中的曝光工艺。作为RDL布线的图案化，也可以对一层或多层的RDL进行布线的图案化。
[0011]本专利技术的曝光装置可以根据区域内布线图案和区域外布线图案而进行布线图案化，该区域内布线图案形成于配置在支承基板上的管芯(半导体芯片)的尺寸或比管芯大的尺寸的布线区域内，该区域外布线图案与该区域内布线图案在设计上相连，对管芯和相邻的管芯或电子元件进行连接。例如，通过CAD/CAM格式形式将布线图案预先制作为矢量数据，并输入给曝光装置。
[0012]支承基板只要能够构成为临时的基板即可，其形状不限于晶片状(这里也包括矩
形形状面板)等，只要能够排列管芯即可。例如，可以将通过模制对管芯进行了密封的伪晶片等构成为临时的支承基板。并且，作为比管芯尺寸大的布线区域，可以设定为按照管芯的矩形形状进行缩放(放大)而得到的矩形区域，或者也可以设为这之外的形状区域，只要是包含管芯的区域的结构即可。作为电子元件，包括外部电极、无源部件等，可以定义为能够与管芯电连接的要素。
[0013]作为区域内布线图案，例如，包括在FO
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WLP中针对利用树脂等进行扩展的区域的RDL布线、FI
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WLP中的RDL布线等。作为区域外布线图案，例如，在FO
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WLP的情况下，包括对在相邻的各管芯中形成于扩展区域内的区域内布线图案进行连接的布线图案。另外，也包括对形成于扩展区域内的区域内布线图案和外部电极等电子元件进行连接的布线图案。另一方面，作为布线图案，可以构成由1根布线或者多根布线构成的图案中的任意图案。例如，在FO
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WLP的情况下，作为对相邻的管芯之间进行连接的布线图案，区域内布线图案和区域外布线图案可以构成为排列有多个布线的布线组。
[0014]本专利技术的曝光装置具有曝光数据生成部，该曝光数据生成部将这样的区域内布线图案和区域外布线图案转换为光栅数据，并生成为曝光数据。曝光数据只要构成为能够对曝光装置的光调制元件进行驱动的数据即可。例如，在是具有DMD等光调制元件阵列的曝光装置的情况下，可以生成对微镜等光调制元件进行ON/OFF控制的曝光数据。曝光数据生成部可以将包含了区域内布线图案和区域外布线图案以及其他图案(其他布线图案、布线以外的图案等)的整体的图案数据转换为光栅数据，并生成为曝光数据。或者，曝光数据生成部也可以将区域内布线图案和区域外布线图案与其他图案区分开而进行光栅转换，生成曝光数据，也可以将区域内布线图案包含于其他图案中，另一方面，将区域外布线图案作为其他数据而转换为光栅数据。
[0015]另外，本专利技术的曝光装置具有位置偏移测量部，该位置偏移测量部测量管芯相对于基准位置的位置偏移。关于基准位置，例如可以将在设计上设定的管芯的代表性的位置(例如中心位置)等设定为基准位置。测量部例如可以测量位置偏移的程度(位置偏移量)。作为位置偏移量，可以测定在将支承基板设置于工作台等时测定的坐标与设计上的坐标的偏差，并且，可以测定相对于管芯的中心位置的旋转偏移等作为位置偏移。
[0016]在本专利技术中，曝光数据生成部生成补充布线图案，该补充布线图案将由于根据管芯的位置偏移对区域内布线图案的形成位置进行了校正而处于端部彼此分离的状态的区域内布线图案和区域外布线图案连接起来。关于区域外布线图案，可以根据管芯的位置偏移来校正形成位置、布线形状等，也可以不校正形成位置。关于补充布线图案，可以根据区域内布线图案的校正后的形成位置来设定该补充布线图案的形状、长度、线宽等。
[0017]曝光数据生成部例如可以构成为包含光栅转换电路的电路，也可以包含进行位置偏移校正处理等的电路、进行数据合成处理的电路等。另外，曝光数据生成部不限定于硬件、软件、固件等规格、方式等。区域内布线图案、区域外布线图案、补充布线图案的生成处理的方法各种各样。例如，可以是，曝光数据生成部将形成位置被校正后的区域内布线图案、区域外布线图案从CAD/CAM格式的数据(矢量数据)分别转换为光栅数据，另一方面，以光栅数据的形式生成补充布线图案。或者，也可以是，以矢量数据的形式生成补充布线图案，并转换为光栅数据。
[0018]区域内布线图案的形成位置校正以及校正后的区域内布线图案、本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种曝光装置，其特征在于，该曝光装置具有：曝光数据生成部，其将区域内布线图案和区域外布线图案转换为光栅数据，并生成曝光数据，其中，所述区域内布线图案形成于配置在支承基板上的管芯的尺寸或比所述管芯大的尺寸的布线区域内，所述区域外布线图案与该区域内布线图案在设计上相连，对所述管芯和相邻的管芯或电子元件进行连接；以及位置偏移测量部，其测量所述管芯相对于基准位置的位置偏移，所述曝光数据生成部生成补充布线图案，该补充布线图案将由于根据所述管芯的位置偏移对区域内布线图案的形成位置进行了校正而处于端部彼此分离的状态的区域内布线图案和区域外布线图案连接起来，根据将区域内布线图案、区域外布线图案、补充布线图案合成所得到的曝光数据而执行曝光动作。2.根据权利要求1所述的曝光装置，其特征在于，所述曝光数据生成部生成圆弧状图案作为补充布线图案。3.根据权利要求2所述的曝光装置，其特征在于，所述曝光数据生成部通过提取圆状图案的一部分而生成圆弧状的补充布线图案。4.根据权利要求3所述的曝光装置，其特征在于，所述曝光数据生成部通过掩模处理而生成圆弧状的补充布线图案。5.根据权利要求4所述的曝光装置，其特征在于，所述曝光数据生成部根据形成位置被校正后的区域内布线图...

【专利技术属性】
技术研发人员：奥山隆志，渡边徹，
申请(专利权)人：株式会社ORC制作所，
类型：发明
国别省市：