本发明专利技术涉及一种能够良好地洗净衬底收纳用容器的洗净装置、及半导体装置的制造方法。根据一实施方式，洗净装置具备温度调整部，该温度调整部通过将对衬底收纳用容器进行洗净的第1流体加热、及/或将对所述容器进行洗净的第2流体冷却，而供给具有第1温度的所述第1流体、及具有低于所述第1温度的第2温度的所述第2流体。所述装置还具备洗净部，该洗净部通过将从所述温度调整部供给的所述第1流体供给到所述容器的第1面，而对所述容器进行加热及洗净，通过将从所述温度调整部供给的所述第2流体供给到所述容器的第2面，而对所述容器进行冷却及洗净。及洗净。及洗净。
【技术实现步骤摘要】
洗净装置、及半导体装置的制造方法
[0001][相关申请][0002]本申请享有以日本专利申请2022
‑
067029号(申请日：2022年4月14日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。
[0003]本专利技术的实施方式涉及一种洗净装置、及半导体装置的制造方法。
技术介绍
[0004]当气体含浸在形成FOUP(Front Opening Unified Pod，前开式晶圆传送盒)的聚合物内时，即便用水进行洗净也难以去除该气体。该气体例如能够通过对FOUP进行真空加热来去除。然而，当对FOUP进行真空加热时，有FOUP因热而变形等，导致FOUP产生不良情况的担忧。
技术实现思路
[0005]本专利技术涉及一种能够良好地洗净衬底收纳用容器的洗净装置、及半导体装置的制造方法。
[0006]根据一实施方式，洗净装置具备温度调整部，该温度调整部通过将对衬底收纳用容器进行洗净的第1流体加热、及/或将对所述容器进行洗净的第2流体冷却，而供给具有第1温度的所述第1流体、及具有低于所述第1温度的第2温度的所述第2流体。所述装置还具备洗净部，该洗净部通过将从所述温度调整部供给的所述第1流体供给到所述容器的第1面，而对所述容器进行加热及洗净，通过将从所述温度调整部供给的所述第2流体供给到所述容器的第2面，而对所述容器进行冷却及洗净。
附图说明
[0007]图1是表示第1实施方式的洗净装置1的构成的俯视图。
[0008]图2是表示第1实施方式的洗净装置1的构成的剖视图。
[0009]图3是表示第1实施方式的洗净装置1的构成的第1例的俯视图。
[0010]图4是表示第1实施方式的洗净装置1的构成的第1例的剖视图。
[0011]图5是表示第1实施方式的洗净装置1的构成的第2例的俯视图。
[0012]图6是表示第1实施方式的洗净装置1的构成的第2例的剖视图。
[0013]图7是用于对第1实施方式的FOUP2的洗净进行说明的曲线图。
[0014]图8是用于对第1实施方式的FOUP2的洗净进行说明的示意图。
[0015]图9是用于对第1实施方式的FOUP2的洗净进行说明的另一曲线图。
[0016]图10是表示第1实施方式的洗净装置1的构成的第2例的另一剖视图。
[0017]图11是表示第2实施方式的洗净装置1的构成的俯视图。
[0018]图12是表示第2实施方式的洗净装置1的构成的剖视图。
[0019]图13是表示第3实施方式的洗净装置1的构成的剖视图。
[0020]图14是用于对第3实施方式的洗净装置1的动作进行说明的曲线图。
[0021]图15是表示第4实施方式的洗净装置1的构成的剖视图。
[0022]图16是表示第4实施方式的洗净装置1的构成的另一剖视图。
[0023]图17是表示第4实施方式的喷嘴51的构成的立体图。
[0024]图18是表示第4实施方式的喷嘴51的构成的放大图。
[0025]图19是用于对第4实施方式的洗净装置1的动作进行说明的曲线图。
[0026]图20是表示第5实施方式的半导体制造系统的构成的俯视图。
[0027]图21是表示第5实施方式的半导体制造装置75的构成的第1例的剖视图。
[0028]图22是表示第5实施方式的半导体制造装置75的构成的第2例的剖视图。
[0029]图23是用于对第5实施方式的半导体制造系统的动作进行说明的流程图。
[0030]图24(a)～(c)是表示第6实施方式的FOUP2的构造的三视图。
[0031]图25(a)～(c)是表示第6实施方式的FOUP2的构造的另一三视图。
[0032]图26(a)～(c)是表示第6实施方式的FOUP2的构造的另一三视图。
具体实施方式
[0033]以下，参照附图对本专利技术的实施方式进行说明。在图1～图26中，对相同的构成标注相同的符号，并省略重复的说明。
[0034](第1实施方式)
[0035]图1是表示第1实施方式的洗净装置1的构成的俯视图。
[0036]图1中，洗净装置1设置在半导体制造系统内。图1示出了洗净装置1、载置于洗净装置1上的FOUP2、半导体制造系统内的温水流路3、及半导体制造系统内的冷水流路4。在半导体制造系统内处理的各衬底被收纳在FOUP2内，通过搬送FOUP2而被搬送。收纳在FOUP2内的各衬底例如为晶圆。FOUP2是衬底收纳用容器的例子。
[0037]洗净装置1是为了对FOUP2进行洗净而设置。如果在半导体制造系统内使用气体处理衬底，然后将衬底收纳在FOUP2内，则存在残留在衬底上的气体从衬底释出并吸附在FOUP2的情况。在该气体为腐蚀性气体的情况下，有FOUP2、FOUP2内的收纳物或半导体制造系统内的各种半导体制造装置受到气体的不良影响的担忧。这种腐蚀性气体的例子是在干式蚀刻等中所使用的卤素气体(例：氟气、氯气)或氨气。
[0038]因此，洗净装置1通过利用水对FOUP2进行洗净，而去除吸附在FOUP2上的气体。例如，吸附在FOUP2上的卤素气体或氨气通过溶于该水中而被去除。这时，FOUP2内的灰尘或金属粒子也通过FOUP2的洗净而被去除。洗净装置1能够利用从温水流路3供给的温水或从冷水流路4供给的冷水对FOUP2进行洗净。对FOUP2进行洗净的水是对容器进行洗净的流体的例子。
[0039]FOUP2例如由聚合物形成。在该情况下，有所述气体含浸在形成FOUP2的聚合物内的担忧。含浸在聚合物内的气体即便用水进行洗净也难以去除，而且会随着时间的经过从聚合物中渗出。其结果为，FOUP2被渗出的气体污染。
[0040]侵含浸在聚合物内的气体例如能够通过对FOUP2进行真空加热而去除。具体来说，含浸在聚合物内的气体通过对FOUP2进行真空加热而从聚合物被驱除。然而，如果对FOUP2
进行真空加热，则有FOUP2因热而变形等，导致FOUP2产生不良情况的担忧。
[0041]因此，本实施方式的洗净装置1具有如下所述的构成。由此，能够良好地洗净FOUP2，例如含浸在聚合物内的气体也能够通过利用水对FOUP2进行洗净而去除。
[0042]本实施方式的洗净装置1具备多个装载埠11、腔室12、加热部13、冷却部14及控制部15。腔室12包含搬送机器人21、搬送轨道22、温水流路23、冷水流路24、多个洗净部25及多个干燥部26。搬送机器人21具备搬送臂21a。加热部13、冷却部14、温水流路23、及冷水流路24是温度调整部的例子。
[0043]图1示出了相互垂直的X方向、Y方向、及Z方向。在本说明书中，将+Z方向视为上方向，将
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Z方向视为下方向。
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Z方向可以与重力方向一致，也可以与重力方向不一致。
[0044]以下，参照图1对本实施方式的洗净装置本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种洗净装置，具备：温度调整部，通过将对衬底收纳用容器进行洗净的第1流体加热、及/或将对所述容器进行洗净的第2流体冷却，而供给具有第1温度的所述第1流体、及具有低于所述第1温度的第2温度的所述第2流体；以及洗净部，通过将从所述温度调整部供给的所述第1流体供给到所述容器的第1面，而对所述容器进行加热及洗净，通过将从所述温度调整部供给的所述第2流体供给到所述容器的第2面，而对所述容器进行冷却及洗净。2.根据权利要求1所述的洗净装置，其中所述第1温度为70℃以上。3.根据权利要求1所述的洗净装置，其中经所述温度调整部加热之前的所述第1流体为液体状的水，经所述温度调整部加热后的所述第1流体为液体状或蒸气状的水，所述洗净部通过将从所述温度调整部供给的液体状或蒸气状的水供给到所述第1面，而对所述容器进行加热及洗净。4.根据权利要求1所述的洗净装置，其中所述第2温度为10℃以下。5.根据权利要求1所述的洗净装置，其中所述温度调整部供给将所述容器冷却的气体，所述温度调整部通过将从所述温度调整部供给的所述气体供给到所述第2面，而将所述容器冷却。6.根据权利要求1所述的洗净装置，其中所述温度调整部供给除将所述容器冷却的水以外的液体，所述温度调整部通过将从所述温度调整部供给的所述液体供给到所述第2面，而将所述容器冷却。7.根据权利要求1所述的洗净装置，其中所述第1温度与所述第2温度的温度差为70℃以上。8.根据权利要求1所述的洗净装置，其中所述第1面为所述容器的内表面，所述第2面为所述容器的外表面。9.根据权利要求1所述的洗净装置，其中所述洗净部以所述第1面与所述第2面的温度差为70℃以上的方式，对所述容器进行加热及冷却。10.根据权利要求1所述的洗净装置，其中所述洗净部通过将所述第1流体蓄积在所述容器内、或将所述第1流体呈簇射状注入到所述容器内，而对所述容器进行加热及洗净。11.根据权利要求1所述的洗净装置，还具备控制部，该控制部控制通过所述洗净部进行的所述容器的加热及冷却。12.根据权利要求11所述的洗净装置，其中所述控制部控制所述洗净部以使其同时进行所述容器的加热与冷却。13.根据权利要求1所述的洗净装置，其中所述洗净部包含对所述容器的第1部分进行洗净的第1洗净部、及对所述容器的第2部分进行洗净的第2洗净部。14.根据权利要求13所述的洗净装置，其中所述第1部分为所述容器的主体，所述第2部分为所述容器的盖。15.根据权利要求13所述的洗净装置，其中所述第1洗净部在所述第1部分的底部向下的状态下...
【专利技术属性】
技术研发人员：神田直树，富田宽，三上徹，
申请(专利权)人：铠侠股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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