存储器件制造技术

技术编号：41364987 阅读：5 留言：0更新日期：2024-05-20 10:13

提高存储器的集成度。一实施方式的存储器件具备：第一半导体层、第一导电体层、第二半导体层以及第二导电体层；第一半导体膜；第一存储器膜；以及第二存储器膜。第一半导体层、第一导电体层、第二半导体层以及第二导电体层在第一方向上相互分离地依次排列。第一半导体膜在第一方向上延伸，与第一半导体层及第二半导体层接触，与第一导电体层及第二导电体层交叉。第一存储器膜设置在第一导电体层与第一半导体膜之间。第二存储器膜设置在第二导电体层与第一半导体膜之间。

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【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

实施方式涉及存储器件。

技术介绍

1、作为能够非易失性地存储数据的存储器件，已知有nor闪速存储器。在nor闪速存储器那样的存储器件中，为了高集成化、大容量化而研究了三维的存储器构造。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：美国专利申请公开第2020/0219572号说明书

技术实现思路

1、专利技术要解决的问题

2、提高存储器的集成度。

3、用于解决技术问题的手段

4、实施方式的存储器件具备：在第一方向上相互分离地依次排列的第一半导体层、第一导电体层、第二半导体层以及第二导电体层；第一半导体膜，其在上述第一方向上延伸，与上述第一半导体层及上述第二半导体层接触，与上述第一导电体层及上述第二导电体层交叉；第一存储器膜，其设置在上述第一导电体层与上述第一半导体膜之间；以及第二存储器膜，其设置在上述第二导电体层与上述第一半导体膜之间。

【技术保护点】

1.一种存储器件，具备：

2.根据权利要求1所述的存储器件，其中，

3.根据权利要求2所述的存储器件，其中，

4.根据权利要求1所述的存储器件，其中，

5.根据权利要求4所述的存储器件，其中，

6.根据权利要求1所述的存储器件，其中，

7.根据权利要求6所述的存储器件，其中，

8.根据权利要求7所述的存储器件，其中，

9.根据权利要求6所述的存储器件，其中，

10.根据权利要求1所述的存储器件，其中，

11.根据权利要求1所述的存储器件，其中，

12.根据权利要求1所述的存储器件，其中，

13.一种存储器件，具备：

14.根据权利要求13所述的存储器件，其中，

15.根据权利要求13所述的存储器件，其中，

16.根据权利要求13所述的存储器件，其中，

17.根据权利要求13所述的存储器件，其中，

18.根据权利要求13所述的存储器件，其中，

19.根据权利要求13所述的存储器件，其中，

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【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】