【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其是涉及一种三维闪存器件及其形成方法。
技术介绍
1、闪存作为电可擦除且可编程的只读存储器的一种特殊结构，如今已经占据了非挥发性半导体存储器的大部分市场份额，成为发展最快的非挥发性半导体存储器。
2、现有技术中，nor flash闪存的结构一般为平面型，而平面型的结构会受到工艺节点的限制导致闪存器件中闪存单元的密度受限，从而使闪存器件的集成度较低，体积较大。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种三维闪存器件的形成方法，便于提高闪存器件的集成度。
2、为了达到上述目的，本专利技术提供了一种三维闪存器件的形成方法，包括：
3、提供衬底，将垂直于衬底表面并且由所述衬底表面开始沿着远离所述衬底表面的方向设为z方向，在平行于所述衬底表面设置相互垂直的x方向和y方向；
4、在所述衬底上依次并交替形成若干层栅隔离氧化层和若干层控制栅层，第一层和顶层均为栅隔离氧化层；
5、在若干层控制栅层和若干层栅隔离氧化层内形成若干条间隔并且交替设置的第一浅沟槽隔离结构和第二浅沟槽隔离结构，每条所述第一浅沟槽隔离结构和所述第二浅沟槽隔离结构在垂直方向上贯通若干层所述控制栅层和若干层所述栅隔离氧化层，每条所述第一浅沟槽隔离结构和所述第二浅沟槽隔离结构均沿着所述y方向延伸；
6、在所述第一浅沟槽隔离结构内形成若干个第一通孔，每个所述第一通孔内露出所述控制栅层的侧壁；
7、沿着所述第一通孔的边缘到所述
8、在每个所述第一通孔两侧的第一浅沟槽隔离结构内分别形成源极导电柱和漏极导电柱，同一所述第一通孔内的源极导电柱和漏极导电柱均与同一所述第一通孔内的多晶硅层连接；
9、刻蚀若干层所述控制栅层和若干层所述栅隔离氧化层在y方向的边缘，使得若干层所述栅隔离氧化层和若干层所述控制栅层在y方向的长度沿着所述z方向依次降低，从而呈现为阶梯形状；
10、在x方向上将位于同一行漏极导电柱连接，形成第一位线，在x方向上将同一行的源极导电柱连接，形成第二位线；
11、在x方向上将同一层的控制栅层连接，形成字线。
12、可选的，在所述的三维闪存器件的形成方法中，所述第一通孔的横截面为椭圆形，所述椭圆形的长轴沿x方向设置，所述椭圆形的短轴沿y方向设置。
13、可选的，在所述的三维闪存器件的形成方法中，在若干层控制栅层和若干层栅隔离氧化层内形成若干条间隔并且交替设置的第一浅沟槽隔离结构和第二浅沟槽隔离结构的方法包括：
14、在顶层的栅隔离氧化层的表面形成氮化层；
15、从所述氮化层的表面向下依次刻蚀若干层所述栅隔离氧化层和若干所述控制栅层，以在若干层所述栅隔离氧化层和若干所述控制栅层形成若干条间隔并且交替设置的第一浅沟槽和第二浅沟槽；
16、向所述第一浅沟槽和第二浅沟槽内均填充氧化物并研磨所述氧化物，以形成若干条间隔并且交替设置的第一浅沟槽隔离结构和第二浅沟槽隔离结构；
17、去除所述氮化层。
18、可选的，在所述的三维闪存器件的形成方法中，所述第一浅沟槽隔离结构在x方向上的长度大于或等于所述第二浅沟槽隔离结构在x方向上的宽度。
19、可选的，在所述的三维闪存器件的形成方法中，所述第一浅沟槽隔离结构和所述第二浅沟槽隔离结构的横截面均为长方形，所述长方形的长沿y方向设置，宽沿x方向设置。
20、可选的，在所述的三维闪存器件的形成方法中，在每个所述第一通孔两侧的第一浅沟槽隔离结构内分别形成源极导电柱和漏极导电柱的方法包括：
21、刻蚀所述第一通孔的第一侧的第一浅沟槽隔离结构和ono层，形成第三通孔，所述第三通孔露出所述多晶硅栅层的侧壁；
22、刻蚀所述第一通孔的第二侧的第一浅沟槽隔离结构和ono层，形成第四通孔，所述第四通孔露出所述多晶硅栅层的侧壁，所述第一侧和第二侧在y方向上位于所述第一通孔的两侧。
23、可选的，在所述的三维闪存器件的形成方法中，在x方向上将同一层的控制栅层连接，形成字线的方法包括：将同一层的所有控制栅层均连接作为一条字线。
24、可选的，在所述的三维闪存器件的形成方法中，在x方向上将同一层的所述控制栅层连接，形成字线的方法包括：将所有控制栅层在x方向上分为交替设置的第一控制栅层和第二控制栅层，将所有第一控制栅层连接作为第一字线，将所有第二控制栅层连接作为第二字线。
25、可选的，在所述的三维闪存器件的形成方法中，在x方向上将位于同一行漏极导电柱连接，形成第一位线，在x方向上将同一行的源极导电柱连接，形成第二位线的方法包括：
26、在所有漏极导电柱上形成插塞；
27、在插塞上形成金属层，刻蚀所述金属层形成多个金属线，一金属线将位于同一行漏极导电柱连接，形成第一位线，一金属线在x方向上将同一行的源极导电柱连接，形成第二位线。
28、可选的，在所述的三维闪存器件的形成方法中，一金属线在x方向上将同一层的控制栅层连接，形成字线。
29、相应地，本专利技术还提供了一种使用上述三维闪存器件的形成方法形成的三维闪存器件，包括：
30、衬底，将垂直于衬底表面并且由所述衬底表面开始沿着远离所述衬底表面的方向设为z方向，在平行于所述衬底表面设置相互垂直的x方向和y方向；
31、位于所述衬底上依次并交替形成的若干层栅隔离氧化层和若干层控制栅层，第一层和顶层均为栅隔离氧化层，若干层所述栅隔离氧化层和若干层所述控制栅层在y方向的长度沿着所述z方向依次降低，从而呈现为阶梯形状；
32、位于若干层控制栅层和若干层栅隔离氧化层内的若干条间隔并且交替设置的第一浅沟槽隔离结构和第二浅沟槽隔离结构，每条所述第一浅沟槽隔离结构和所述第二浅沟槽隔离结构在垂直方向上贯通若干层所述控制栅层和若干层所述栅隔离氧化层，每条所述第一浅沟槽隔离结构和所述第二浅沟槽隔离结构均沿着所述y方向延伸；
33、位于所述第一浅沟槽隔离结构内的若干个第一通孔，位于所述第一通孔内并沿着所述第一通孔的边缘到所述第一通孔的内部的方向依次形成的ono层、多晶硅层和绝缘层，所述ono层、多晶硅层和绝缘层均接触所述衬底的表面；
34、分别位于每个所述第一通孔两侧的第一浅沟槽隔离结构内的源极导电柱和漏极导电柱，同一所述第一通孔内的源极导电柱和漏极导电柱均与同一所述第一通孔内的多晶硅层连接；
35、第一位线，在x方向上将位于同一行漏极导电柱连接；
36、第二位线，在x方向上将同一行的源极导电柱连接；
37、字线，在x方向上将同一层的控制栅层连接。
38、在本专利技术提供的三维闪存器件及其形成方法中，形成方法包括：提供衬底，将垂直于衬底表面并且由衬底表面本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种三维闪存器件的形成方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的三维闪存器件的形成方法，其特征在于，所述第一通孔的横截面为椭圆形，所述椭圆形的长轴沿X方向设置，所述椭圆形的短轴沿Y方向设置。
3.如权利要求1所述的三维闪存器件的形成方法，其特征在于，在若干层控制栅层和若干层栅隔离氧化层内形成若干条间隔并且交替设置的第一浅沟槽隔离结构和第二浅沟槽隔离结构的方法包括：
4.如权利要求1所述的三维闪存器件的形成方法，其特征在于，所述第一浅沟槽隔离结构在X方向上的长度大于或等于所述第二浅沟槽隔离结构在X方向上的宽度。
5.如权利要求1所述的三维闪存器件的形成方法，其特征在于，所述第一浅沟槽隔离结构和所述第二浅沟槽隔离结构的横截面均为长方形，所述长方形的长沿Y方向设置，宽沿X方向设置。
6.如权利要求1所述的三维闪存器件的形成方法，其特征在于，在每个所述第一通孔两侧的第一浅沟槽隔离结构内分别形成源极导电柱和漏极导电柱的方法包括：
7.如权利要求1所述的三维闪存器件的形成方法，其特征在于，在X方向上将同一层的控
8.如权利要求1所述的三维闪存器件的形成方法，其特征在于，在X方向上将同一层的所述控制栅层连接，形成字线的方法包括：将所有控制栅层在X方向上分为交替设置的第一控制栅层和第二控制栅层，将所有第一控制栅层连接作为第一字线，将所有第二控制栅层连接作为第二字线。
9.如权利要求1所述的三维闪存器件的形成方法，其特征在于，在X方向上将位于同一行漏极导电柱连接，形成第一位线，在X方向上将同一行的源极导电柱连接，形成第二位线的方法包括：
10.如权利要求9所述的三维闪存器件的形成方法，其特征在于，一金属线在X方向上将同一层的控制栅层连接，形成字线。
11.一种使用如权利要求1～10任一项所述的三维闪存器件的形成方法形成的三维闪存器件，其特征在于，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种三维闪存器件的形成方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的三维闪存器件的形成方法，其特征在于，所述第一通孔的横截面为椭圆形，所述椭圆形的长轴沿x方向设置，所述椭圆形的短轴沿y方向设置。
3.如权利要求1所述的三维闪存器件的形成方法，其特征在于，在若干层控制栅层和若干层栅隔离氧化层内形成若干条间隔并且交替设置的第一浅沟槽隔离结构和第二浅沟槽隔离结构的方法包括：
4.如权利要求1所述的三维闪存器件的形成方法，其特征在于，所述第一浅沟槽隔离结构在x方向上的长度大于或等于所述第二浅沟槽隔离结构在x方向上的宽度。
5.如权利要求1所述的三维闪存器件的形成方法，其特征在于，所述第一浅沟槽隔离结构和所述第二浅沟槽隔离结构的横截面均为长方形，所述长方形的长沿y方向设置，宽沿x方向设置。
6.如权利要求1所述的三维闪存器件的形成方法，其特征在于，在每个所述第一通孔两侧的第一浅沟槽隔离结构内分别形成源极导电柱和漏极...
【专利技术属性】
技术研发人员：于涛，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：
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