化学机械研磨控制方法、控制系统及其设备技术方案

本发明专利技术提供一种化学机械研磨控制方法、控制系统及其设备，所述控制方法包括：获取化学机械研磨的历史设定数据及对应的历史过程数据；根据历史设定数据及对应的历史过程数据，获取化学机械研磨的名义研磨时间，并由名义研磨时间及对应的实际研磨时间构建研磨时间匹配表，名义研磨时间包括由历史设定移除速率与历史实际移除速率构建的移除速率补偿及由历史设定研磨前值与实际研磨前值构建的研磨厚度补偿；根据研磨参数获取名义研磨时间，再利用名义研磨时间根据研磨时间匹配表获得研磨时间，并利用研磨时间及设定移除速率对晶圆执行化学机械研磨。在本发明专利技术可优化化学机械研磨的移除效率、移除精度及研磨成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，特别涉及一种化学机械研磨控制方法、控制系统及其设备。

技术介绍

1、化学机械研磨工艺是半导体器件制造中的重要工艺，其利用化学腐蚀和机械研磨的协同作用对半导体晶圆进行平坦化处理，可有效兼顾半导体器件的局部和全局的平坦度。

2、在相关技术中，通常采用带反馈的控制系统，例如为先进过程控制(advancedprocess control，apc)系统，根据晶圆在研磨前的厚度计算得到本次的研磨量，根据本次的研磨量计算得到本次的研磨时间，根据晶圆在研磨后的厚度对下次的研磨量进行修正。

3、但上述化学机械研磨方法极度依赖化学机械研磨过程中各种传感器的精确反馈及研磨机台准确及时的控制调节，任何影响因素的波动都将导致研磨控制的恶化，使得采用apc控制的化学机械研磨的移除效率及移除精度相对其耗费的设备成本及时间成本的性价比较低。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种化学机械研磨控制方法、控制系统及其设备，优化化学机械研磨的移除效率、移除精度及研磨成本。</p>

2、为解本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种化学机械研磨控制方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的化学机械研磨控制方法，其特征在于，所述化学机械研磨为非先进控制系统控制的化学机械研磨。

3.根据权利要求1所述的化学机械研磨控制方法，其特征在于，所述历史设定移除速率、所述设定移除速率、所述历史实际移除速率及所述实际移除速率均为针对光片的移除速率。

4.根据权利要求1所述的化学机械研磨控制方法，其特征在于，所述名义研磨时间为理论研磨时间、所述移除速率补偿及所述研磨厚度补偿之和。

5.根据权利要求4所述的化学机械研磨控制方法，其特征在于，所述理论研磨时间＝(Pre ta...

【技术特征摘要】

1.一种化学机械研磨控制方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的化学机械研磨控制方法，其特征在于，所述化学机械研磨为非先进控制系统控制的化学机械研磨。

3.根据权利要求1所述的化学机械研磨控制方法，其特征在于，所述历史设定移除速率、所述设定移除速率、所述历史实际移除速率及所述实际移除速率均为针对光片的移除速率。

4.根据权利要求1所述的化学机械研磨控制方法，其特征在于，所述名义研磨时间为理论研磨时间、所述移除速率补偿及所述研磨厚度补偿之和。

5.根据权利要求4所述的化学机械研磨控制方法，其特征在于，所述理论研磨时间＝(pre target-post target)/rr target，pre target为所述历史设定研磨前值，pos t target为所述历史设定研磨后值，rr target为所述历史设定移除速率。

6.根据权利要求4所述的化学机械研磨控制方法，其特征在于，所述移除速率补偿＝((pre target-pos t target)/rr actual-(pre target-pos t target)...

【专利技术属性】
技术研发人员：许秀秀，吴建荣，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：