【技术实现步骤摘要】
本专利技术的实施方式涉及一种存储装置。
技术介绍
1、作为大容量的非易失性存储装置，有交叉点型两端子存储装置。交叉点型两端子存储装置能够容易实现存储单元的精细化、高集成化。
2、交叉点型两端子存储装置的存储单元例如具有电阻变化元件与开关元件。因为存储单元具有开关元件，所以能够抑制流动在选择存储单元以外的存储单元中的电流。
3、对于开关元件，要求其具备低泄漏电流、高接通电流及高可靠性等优异特性。
技术实现思路
1、实施方式的存储装置具备：第1导电层；第2导电层；第3导电层；电阻变化层，设置在所述第1导电层与所述第2导电层之间；以及开关层，设置在所述第2导电层与所述第3导电层之间；在所述第1导电层与第3导电层之间设有所述第2导电层；开关层包含：至少一种第1物质，从选自由铬(cr)、镧(la)、铈(ce)、钇(y)、钪(sc)、锆(zr)及铪(hf)所组成的群中的至少一种元素的氧化物、所述至少一种元素的氮化物、及所述至少一种元素的氮氧化物所组成的群中选择；第2物质，包含选...
【技术保护点】
1.一种存储装置，具备：第1导电层；
2.根据权利要求1所述的存储装置，其中所述开关层中包含的所述第1物质的摩尔分数大于所述开关层中包含的所述第3物质的摩尔分数。
3.根据权利要求1所述的存储装置，其中所述开关层中包含的所述第1物质的摩尔分数为50mol％以上。
4.根据权利要求1所述的存储装置，其中所述开关层中包含的所述第2物质的摩尔分数为5mol％以上。
5.根据权利要求1所述的存储装置，其中所述开关层中包含的所述第3物质的摩尔分数为5mol％以上。
6.根据权利要求1所述的存储装置，其中所述开关层中包含...
【技术特征摘要】
1.一种存储装置，具备：第1导电层；
2.根据权利要求1所述的存储装置，其中所述开关层中包含的所述第1物质的摩尔分数大于所述开关层中包含的所述第3物质的摩尔分数。
3.根据权利要求1所述的存储装置，其中所述开关层中包含的所述第1物质的摩尔分数为50mol％以上。
4.根据权利要求1所述的存储装置，其中所述开关层中包含的所述第2物质的摩尔分数为5mol％以上。
5.根据权利要求1所述的存储装置，其中所述开关层中包含的所述第3物质的摩尔分数为5mol％以上。
6.根据权利要求1所述的存储装置，其中所述开关层中包含的所述第2物质为2种以上。
7.根据权利要求1所述的存储装置，其中所述开关层中包含的所述第1物质为氧化钇、氧化锆、或氧化镧。
8.根据权利要求1所述的存储装置，其中所述第2导电层包含碳或氮化钨，所述第3导电层包含碳或氮化钨。
9.根据权利要求1所述的存储装置，其还具备：
10.根据权利要求1所述的存储装置，其中所述第1物质的熔点高于所述第3物质的熔点。
11.根据权利要求1所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：岩崎刚之，松岛阳介，小松克伊，
申请(专利权)人：铠侠股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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