复合材料、复合材料的制备方法、光电器件与电子设备技术

本申请公开一种复合材料、复合材料的制备方法、光电器件与电子设备，所述复合材料包括有机半导体材料和具有多孔结构的金属氧化物半导体材料，至少部分的有机半导体材料位于金属氧化物半导体材料的孔隙处，使得复合材料兼具良好的化学稳定性和热稳定性以及高载流子迁移率特性，在所述光电器件中，载流子功能层中的至少部分膜层的材料为包含有机半导体材料和具有多孔结构的金属氧化物半导体材料的复合材料，有利于提升光电器件的光电性能和使用寿命，将所述光电器件应用于电子设备中，有利于提高电子设备的显示效果和使用寿命。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及光电，具体涉及一种复合材料、复合材料的制备方法、光电器件与电子设备。

技术介绍

1、金属氧化物是指金属元素和氧元素结合形成的化合物，将金属氧化物纳米化后，金属氧化物因尺寸小、比表面积大、表面活性中心多的特性而具有小尺寸效应、表面与界面效应、量子点尺寸效应和宏观量子隧道效应，从而广泛应用于高效催化剂、电池、光电器件、超级电容器、储能器件、磁性器件以及光学器件中。

2、以光电器件为例，光电器件包括但不限于有机发光二极管(organic light-emitting diode,oled)和量子点发光二极管(quantum dot light emitting diodes,qled)，金属氧化物可用于制备光电器件的载流子功能层，相较于有机载流子功能材料，基于金属氧化物的载流子功能材料的化学稳定性和热稳定性更佳，但是由于金属氧化物存在表面缺陷态(例如氧空位等)，所以金属氧化物的载流子迁移率低于一些有机载流子功能材料。因此，有机载流子功能材料和基于金属氧化物的无机载流子功能材料分别存在不足之处。

>技术实现思路...

【技术保护点】

1.一种复合材料，其特征在于，所述复合材料包括有机半导体材料和具有多孔结构的金属氧化物半导体材料，至少部分的所述有机半导体材料位于所述金属氧化物半导体材料的孔隙处。

2.根据权利要求1所述的复合材料，其特征在于，所述复合材料由所述有机半导体材料和所述金属氧化物半导体材料组成。

3.根据权利要求1或2所述的复合材料，其特征在于，在所述复合材料中，所述有机半导体材料：所述金属氧化物半导体材料的的质量比为1：(0.01～0.1)；

4.根据权利要求3所述的复合材料，其特征在于，所述金属氧化物半导体材料选自镍的氧化物、钼的氧化物、钨的氧化物、铬的氧化物、钒的氧...

【技术特征摘要】

1.一种复合材料，其特征在于，所述复合材料包括有机半导体材料和具有多孔结构的金属氧化物半导体材料，至少部分的所述有机半导体材料位于所述金属氧化物半导体材料的孔隙处。

2.根据权利要求1所述的复合材料，其特征在于，所述复合材料由所述有机半导体材料和所述金属氧化物半导体材料组成。

3.根据权利要求1或2所述的复合材料，其特征在于，在所述复合材料中，所述有机半导体材料：所述金属氧化物半导体材料的的质量比为1：(0.01～0.1)；

4.根据权利要求3所述的复合材料，其特征在于，所述金属氧化物半导体材料选自镍的氧化物、钼的氧化物、钨的氧化物、铬的氧化物、钒的氧化物、铜的氧化物、zno、tio2、sno2、bao、ta2o3、al2o3、zro2、tilio、zngao、znalo、znmgo、znsno、znlio、insno、alzno、znocl、znof或znmglio中的至少一种；

5.一种复合材料的制备方法，其特征在于，包括步骤：

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，在所述第一混合液中，所述有机半导体材料：所述金属氧化物半导体材料的质量比为1：(0.005～0.1)；

7.根据权利要求5或6所述的制备方法，其特征在于，所述金属氧化物半导体材料的制备方法包括步骤：

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述向所述金属氢氧化物溶液中加入过氧化氢以获得第二混合液的步骤中，所述金属氢氧化物溶液中金属氢氧化物：所述过氧化氢的质量比为1：(0.36～7.2)；

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述提供金属氢氧化物溶液，包括步骤：提供金属盐前驱体溶液和碱液，将所述金属盐前驱体溶液和所述碱液混合以获得第三混合液，所述第三混合液反应获得所述金属氢氧化物溶液。

10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，在将所述金属盐前驱体溶液和所述碱液混合以获得第三混合液的步骤中，所述金属盐前驱体溶液中金属离子：所述碱液中氢氧根离子的摩尔比为1：(...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭煜林，吴龙佳，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：