【技术实现步骤摘要】
本申请涉及量子芯片制备的，尤其涉及掩膜、掩膜在制备量子器件中的应用、掩膜的制备方法、约瑟夫森结的制备方法和约瑟夫森结。
技术介绍
1、约瑟夫森结(josephson junction)，或称为超导隧道结。一般是由两块超导体夹以某种很薄的势垒层(厚度≤cooper电子对的相干长度)而构成的结构，例如s(超导体)-i(半导体或绝缘体)-s(超导体)结构，简称sis。在其中超导电子可以通过隧道效应而从一边穿过半导体或绝缘体薄膜到达另一边。
2、然而，相关技术在制备约瑟夫森结时，因倾斜镀膜时的倾斜角度偏差，可能引起约瑟夫森结面积偏差。如图1所示，图1是一种“一字型”约瑟夫森结的结构示意图，中间的重叠区域为约瑟夫森结，信号传输线设置于约瑟夫森结的相对的两侧，例如可以在其中一侧设置谐振腔和十字电容，在另一侧设置控制线等。如图2所示，图2是一种倾斜角度有偏差的“一字型”约瑟夫森结的结构示意图，上层超导层采用斜蒸发镀膜形成，斜蒸发镀膜的镀膜方向例如可以垂直于下层超导层的长度方向。可以看到，当倾斜角度出现误差时，上层超导层的位置会出现偏移，导...
【技术保护点】
1.一种掩膜，其特征在于，用于制备约瑟夫森结，所述掩膜包括层叠设置的基础层和图形层；
2.根据权利要求1所述的掩膜，其特征在于，所述第一开口的形状为矩形，所述第二开口的形状为矩形。
3.根据权利要求2所述的掩膜，其特征在于，所述第一开口的宽度大于所述第二开口的宽度，所述第一开口的长度大于或等于所述第二开口的长度，其中，所述第一开口和所述第二开口的宽度方向平行于所述第一方向，所述第一开口和所述第二开口的长度方向垂直于所述第一方向。
4.一种权利要求1-3任一项所述的掩膜在制备量子器件中的应用。
5.一种掩膜的制备方法，其特...
【技术特征摘要】
1.一种掩膜，其特征在于，用于制备约瑟夫森结，所述掩膜包括层叠设置的基础层和图形层；
2.根据权利要求1所述的掩膜，其特征在于，所述第一开口的形状为矩形，所述第二开口的形状为矩形。
3.根据权利要求2所述的掩膜，其特征在于，所述第一开口的宽度大于所述第二开口的宽度，所述第一开口的长度大于或等于所述第二开口的长度，其中，所述第一开口和所述第二开口的宽度方向平行于所述第一方向，所述第一开口和所述第二开口的长度方向垂直于所述第一方向。
4.一种权利要求1-3任一项所述的掩膜在制备量子器件中的应用。
5.一种掩膜的制备方法，其特征在于，所述掩膜用于制备约瑟...
【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，请求不公布姓名，贾志龙，
申请(专利权)人：本源量子计算科技合肥股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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