【技术实现步骤摘要】
本公开涉及但不限于半导体，尤其涉及一种半导体结构的形成方法及半导体结构、存储器的形成方法。
技术介绍
1、对于包含电容结构的半导体结构，电容结构通常聚集在半导体结构的阵列区，而在半导体结构的外围区会存在大量的逻辑电路配合电容结构进行工作。例如，动态随机存取存储器(dynamic random access memory，dram)单元包括用于存储电荷的电容结构和存取电容结构中电荷的晶体管；电容结构聚集在阵列区，相应的在外围区存在大量的逻辑电路配合晶体管控制电容结构进行存取电荷。但是，相关技术中形成半导体结构的工艺中，外围区的逻辑电路中的接触结构可能会被破坏，导致逻辑电路失效。
技术实现思路
1、有鉴于此，本公开提供一种半导体结构的形成方法及半导体结构、存储器的形成方法。
2、本公开实施例提供一种半导体结构的形成方法，所述方法包括：
3、提供基底，所述基底包括衬底、位于所述衬底内的至少一个第一接触结构和至少一个第二接触结构，所述衬底包括阵列区和外围区，所述第一接触结构...
【技术保护点】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述衬底表面依次形成覆盖所述外围区的阻挡层、以及覆盖所述阻挡层和所述阵列区的叠层结构，包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述支撑层采用第一材料形成，所述阻挡层采用第二材料形成，所述第一材料与所述第二材料之间的刻蚀选择比大于第一阈值。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述阻挡层包括第一阻挡层和覆盖所述第一阻挡层的第二阻挡层。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成贯穿所述叠层结构并...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述衬底表面依次形成覆盖所述外围区的阻挡层、以及覆盖所述阻挡层和所述阵列区的叠层结构，包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述支撑层采用第一材料形成，所述阻挡层采用第二材料形成，所述第一材料与所述第二材料之间的刻蚀选择比大于第一阈值。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述阻挡层包括第一阻挡层和覆盖所述第一阻挡层的第二阻挡层。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成贯穿所述叠层结构并暴露所述第一接触结构的电容孔，以及覆盖所述电容孔内壁的第一电极层，包括：
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述衬底包括覆盖每一所述第一接触结构和每一所述第二接触结构的基础支撑层；
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述聚合物包括第一聚合物以及附着在所述第一聚合物表面的第二聚合物；所述去除在形成所述通孔的过程中附着在所述通孔内壁的聚合物，包括：
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员：鲍锡飞，储瑶瑶，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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