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本公开实施例提供一种半导体结构的形成方法及半导体结构、存储器的形成方法。其中，半导体结构的形成方法包括：提供包括衬底及位于衬底内的第一接触结构和第二接触结构的基底，衬底包括阵列区和外围区，第一接触结构位于阵列区，第二接触结构位于外围区；在衬...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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