【技术实现步骤摘要】
本公开涉及但不限定于一种半导体存储器的测试方法和设备。
技术介绍
1、存储器中相邻存储单元之间经常存在非常轻微的漏电，并且这种漏电会随着时间的推移恶化成严重的漏电，从而使得存储单元失效。
2、为了测试出轻微漏电的存储单元，此处将存在轻微漏电的存储单元称为目标存储单元。通常需要让目标存储单元与相邻存储单元进行长时间高压差的漏电。当相邻存储单元与目标存储单元是不同字线上的存储单元时，也就是目标存储单元和相邻存储单元位于不同列时，漏电测试可以利用不断刷新相邻存储单元的字线的方式，来维持相邻存储单元与目标存储单元的高压差。
3、但是，若相邻存储单元与目标存储单元位于同一字线，也就是相邻存储单元与目标存储单元是位于同一列的存储单元，刷新该字线则无法在相邻存储单元和目标存储单元之间形成高压差，也就无法测试同一字线上存储单元的漏电。
技术实现思路
1、本公开提供一种半导体存储器的测试方法，包括：
2、向存储块中写入测试数据，其中，存储块包括多个标记字线和多个非标记字线...
【技术保护点】
1.一种半导体存储器的测试方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的测试方法，其特征在于，每个所述标记字线上第偶数个存储单元中存储第一数据；每个所述标记字线上第奇数个存储单元中存储第二数据；每个所述非标记字线上每个所述存储单元中存储所述第二数据。
3.根据权利要求2所述的测试方法，其特征在于，当所述存储单元中存储所述第一数据时，所述存储单元中电容下极板电压大于或等于第一参考电压；当所述存储单元中存储所述第二数据时，所述存储单元中电容下极板电压小于所述第一参考电压。
4.根据权利要求2所述的测试方法，其特征在于，刷新所述目标字...
【技术特征摘要】
1.一种半导体存储器的测试方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的测试方法，其特征在于，每个所述标记字线上第偶数个存储单元中存储第一数据；每个所述标记字线上第奇数个存储单元中存储第二数据；每个所述非标记字线上每个所述存储单元中存储所述第二数据。
3.根据权利要求2所述的测试方法，其特征在于，当所述存储单元中存储所述第一数据时，所述存储单元中电容下极板电压大于或等于第一参考电压；当所述存储单元中存储所述第二数据时，所述存储单元中电容下极板电压小于所述第一参考电压。
4.根据权利要求2所述的测试方法，其特征在于，刷新所述目标字线上存储单元内所述测试数据，控制所述存储块中两个相邻位线的其中一个位线连接的灵敏放大器处于使能状态，控制所述存储块中两个相邻位线的另一个位线连接的灵敏放大器处于失效状态，具体包括：
5.根据权利要求4所述的测试方法，其特征在于，激活所述目标字线，控制第偶数个位线连接的灵敏放大器处于使能状态，控制第奇数个位线连接的灵敏放大器处于失效状态，具体包括：
6.根据权利要求5所述的测试方法，其特征在于，控制灵敏放大器对所述第偶数个位线和所述第偶数个位线对应的互补位线之间电荷共享电压进行放大，具体包括：
...
【专利技术属性】
技术研发人员：苏阿妹，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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