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本申请提供了掩膜及其制备方法、应用、约瑟夫森结及其制备方法，所述掩膜包括层叠设置的基础层和图形层；所述基础层用于设置于衬底的表面，且所述基础层设置有暴露所述衬底的第一窗口；所述第一窗口上方的图形层设置有暴露所述第一窗口的第一开口和第二开口；...
该专利属于本源量子计算科技（合肥）股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过本源量子计算科技（合肥）股份有限公司授权不得商用。

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