半导体存储装置制造方法及图纸

本发明专利技术的实施方式提供一种提高可靠性的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置包含：第1半导体层；第1配线层，设置在所述第1半导体层的上方；第2配线层，与所述第1配线层相邻而配置；第1存储器柱，通过所述第1配线层，且一端连接于所述第1半导体层；第2存储器柱，通过所述第2配线层，且一端连接于所述第1半导体层；及第1部件，设置在所述第1配线层与所述第2配线层之间。所述第1部件包含：第1导电体，与所述第1半导体层相接；第1绝缘体，至少设置在所述第1配线层与所述第1导电体之间、及所述第2配线层与所述第1导电体之间；及多个第2绝缘体，设置在所述第1导电体与所述第1半导体层之间。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的实施方式涉及一种半导体存储装置。

技术介绍

1、作为半导体存储装置，已知有nand(not-and：与非)型闪存。

技术实现思路

1、本专利技术所要解决的问题在于提供一种提高可靠性的半导体存储装置。

2、实施方式的半导体存储装置包含：第1半导体层，设置在半导体衬底的上方，沿第1方向延伸；第1配线层，设置在所述第1半导体层的上方，沿所述第1方向延伸；第2配线层，在与所述第1方向交叉的第2方向上，与所述第1配线层相邻而配置，且沿所述第1方向延伸；第1存储器柱，沿与所述第1方向及所述第2方向交叉的第3方向延伸，通过所述第1配线层，且一端连接于所述第1半导体层；第2存储器柱，沿所述第3方向延伸，通过所述第2配线层，且一端连接于所述第1半导体层；及第1部件，设置在所述第1配线层与所述第2配线层之间，沿所述第1方向及所述第3方向延伸。所述第1部件包含：第1导电体，沿所述第1方向及所述第3方向延伸，与所述第1半导体层相接；第1绝缘体，至少设置在所述第1配线层与所述第1导电体之间、及所述第2配线层与所本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体存储装置，具备：

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

4.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

5.根据权利要求4所述的半导体存储装置，其中

6.根据权利要求4所述的半导体存储装置，其中

7.根据权利要求4所述的半导体存储装置，其中

8.一种半导体存储装置，具备：

9.根据权利要求8所述的半导体存储装置，其中

10.根据权利要求8所述的半导体存储装置，其中

11.根据权利要求8所述的半导体存储装置...

【技术特征摘要】

1.一种半导体存储装置，具备：

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

4.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

5.根据权利要求4所述的半导体存储装置，其中

6.根据权利要求4所述的半导体存储装置，其中

【专利技术属性】
技术研发人员：菅野裕士，
申请(专利权)人：铠侠股份有限公司，
类型：发明
国别省市：

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