多孔和纳米多孔半导体材料及其制造制造技术

描述了用于形成多孔或纳米多孔半导体材料的方法。所述方法允许在半导体材料中以有利的孔尺寸、间距、孔体积、材料厚度和其他方面形成阵列孔或纳米孔。还提供了多孔和纳米多孔材料。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】多孔和纳米多孔半导体材料及其制造相关申请的交叉引用本申请根据35U.S.C.§119(e)要求于2018年4月5日提交的美国临时申请序列号62/653,266的权益，其内容通过引用整体并入本文。本申请还通过引用将2017年3月17日提交的并于2017年9月21日作为美国专利公开第US2017/0271459号公开的美国专利申请序列号15/462,620整体并入。
本文描述的方面一般地涉及多孔和/或纳米多孔半导体材料以及相关方法和应用。
技术介绍
纳米多孔半导体材料的生产对于许多当前的和潜在的应用(包括纳滤、热电材料、电池电极、光伏和催化)是重要的。在这些和其他应用的每个中，已经发现具有减小的孔尺寸、减小的孔间间距和增加的孔纵横比的纳米多孔半导体是有利的。然而，尽管纳米制造技术当前取得了进步，但是对于这些设计变量，纳米多孔半导体材料正在接近可及参数空间的极限。因此，需要改进的方法用于生产纳米多孔半导体材料。
技术实现思路
本公开涉及纳米多孔半导体材料的合成。某些实施方案涉及利用金属辅助化学蚀刻法本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种多孔半导体材料，包括：/n半导体材料；和/n在所述半导体材料中的多个孔，所述多个孔的平均孔径小于20nm，以及其中所述多个孔限定了至少0.1％的按将总孔体积除以所述总孔体积加固体材料体积之和而测量的总体积孔隙率，/n其中至少0.05％的所述孔从一个表面贯穿所述材料至相反的或不同的表面，以及/n其中所述材料具有作为所述材料的最小截面的厚度，并且所述厚度为至少0.05微米。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180405 US 62/653,2661.一种多孔半导体材料，包括：
半导体材料；和
在所述半导体材料中的多个孔，所述多个孔的平均孔径小于20nm，以及其中所述多个孔限定了至少0.1％的按将总孔体积除以所述总孔体积加固体材料体积之和而测量的总体积孔隙率，
其中至少0.05％的所述孔从一个表面贯穿所述材料至相反的或不同的表面，以及
其中所述材料具有作为所述材料的最小截面的厚度，并且所述厚度为至少0.05微米。


2.根据权利要求1所述的多孔半导体材料，其中所述多个孔限定了小于约50％的总体积孔隙率。


3.根据权利要求2所述的多孔半导体材料，其中所述多个孔限定了约1％至约30％的总体积孔隙率。


4.根据权利要求1所述的多孔半导体材料，其中小于约30％的所述孔从一个表面贯穿所述材料至相反的或不同的表面。


5.根据权利要求4所述的多孔半导体材料，其中约0.5％至约20％的所述孔从一个表面贯穿所述材料至相反的或不同的表面。


6.根据权利要求5所述的多孔半导体材料，其中约1％至约10％的所述孔从一个表面贯穿所述材料至相反的或不同的表面。


7.根据权利要求1所述的多孔半导体材料，其中所述材料的厚度小于约400微米。


8.根据权利要求7所述的多孔半导体材料，其中所述材料的厚度为至少约10微米。


9.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：布伦丹·德里克·史密斯，杰弗里·C·格罗斯曼，
申请(专利权)人：麻省理工学院，
类型：发明
国别省市：美国;US