等离子体处理装置以及等离子体处理方法、ECR高度监视器制造方法及图纸

一种等离子体处理装置，具备：处理室(101)，使用等离子体(111)对晶片(114)进行处理；高频电源(106)，供给用于生成等离子体(111)的高频电力；机构，使用于形成ECR的磁场形成，并且控制该磁通密度；以及样品台(113)，载置晶片(114)。上述等离子体处理装置还具备：控制部(107)，根据等离子体(111)的图像数据，监视通过上述高频电力和上述磁场的相互作用而产生的电子回旋谐振即ECR的高度，控制上述高频电力的频率，使得监视的上述ECR的高度成为给定的高度。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】等离子体处理装置以及等离子体处理方法、ECR高度监视器
本专利技术涉及使用在处理室内形成的等离子体对半导体晶片(以下，也简记为晶片)等样品进行处理的等离子体处理装置以及等离子体处理方法，特别涉及向处理室内供给磁场并作用于等离子体从而对样品进行处理的等离子体处理装置以及等离子体处理方法、ECR高度监视器。
技术介绍
伴随着半导体设备的集成度的提高，要求加工形状的控制性和晶片面内的均匀性的提高的并存。关于晶片面内的均匀性的提高，通过使等离子体分布均匀化来实现蚀刻速率的均匀化。已知一种电子微管谐振(ElectronMicrotronResonance：ECR)方式的等离子体蚀刻装置，其中，微波的电场和由螺线管线圈形成的磁场产生相互作用，处理用气体的原子、分子被激发从而在处理室内形成等离子体，并利用该等离子体。在上述那样的等离子体蚀刻装置中，在专利文献1中公开了如下方法：通过设置在等离子体处理室的外周的多个螺线管线圈使磁场强度变化，在样品的处理时和样品的过蚀刻时，通过改变平面状的谐振区域相对于样品的被处理表面的平行间隔距离，从而使产生的等离子体本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种等离子体处理装置，具备：处理室，使用等离子体对样品进行处理；高频电源，供给用于生成所述等离子体的高频电力；样品台，载置所述样品；以及磁场形成机构，在所述处理室内形成磁场，其特征在于，/n还具备：控制部，根据所述等离子体的图像数据，监视通过所述高频电力和所述磁场的相互作用而产生的电子回旋谐振即ECR的高度，控制所述高频电力的频率，使得监视的所述ECR的高度成为给定的高度。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种等离子体处理装置，具备：处理室，使用等离子体对样品进行处理；高频电源，供给用于生成所述等离子体的高频电力；样品台，载置所述样品；以及磁场形成机构，在所述处理室内形成磁场，其特征在于，
还具备：控制部，根据所述等离子体的图像数据，监视通过所述高频电力和所述磁场的相互作用而产生的电子回旋谐振即ECR的高度，控制所述高频电力的频率，使得监视的所述ECR的高度成为给定的高度。


2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，
还具备监视所述ECR高度的监视机构，
所述监视机构具备：相机，从水平方向或者倾斜方向对所述等离子体进行摄像；第一分光器，从ECR面的上方获取所述等离子体的发光强度；以及第二分光器，从所述ECR面的下方获取所述等离子体的发光强度。


3.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，
所述控制部使用所述等离子体的图像数据和所述处理室的高度方向上的所述等离子体的发光强度分布来求出所述ECR的高度。


4.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，
所述磁场形成机构具备形成所述磁场的线圈，
所述控制部控制所述高频电力的频率，使得校正由在所述线圈中流过的电流的响应延迟而导致的所述ECR的高度...

【专利技术属性】
技术研发人员：池田纪彦，安井尚辉，山田一也，
申请(专利权)人：株式会社日立高新技术，
类型：发明
国别省市：日本;JP