【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】等离子体蚀刻方法和等离子体处理装置
本公开的例示性的实施方式涉及一种等离子体蚀刻方法和等离子体处理装置。
技术介绍
在电子器件的制造中使用等离子体处理装置。等离子体处理装置具有腔室和基板支承台。基板支承台设置于腔室内。基板支承台具有下部电极和静电吸盘。下部电极与高频电源电连接。静电吸盘具有由电介质制成的主体和电极。电极内置于主体内。静电吸盘的电极与直流电源电连接。在基板支承台上搭载聚焦环。基板配置于静电吸盘上且被聚焦环包围的区域内。在等离子体蚀刻中，要求使离子除了相对于基板的中央区域以外还相对于边缘区域大致垂直地入射。因此，开发出一种如专利文献1所记载的那样构成为向聚焦环施加负极性的直流电压的等离子体处理装置。当向聚焦环施加负极性的直流电压时，能够调整聚焦环的上方的鞘与等离子体的边界的在高度方向上的位置。因而，通过向聚焦环施加负极性的直流电压，能够调整离子相对于基板的边缘区域的入射角度。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2007-258417号公报专利技术...
【技术保护点】
1.一种等离子体蚀刻方法，包括以下工序：/n将基板载置于等离子体处理装置的基板支承台上，其中，该基板支承台具有下部电极和设置于该下部电极的静电吸盘并且设置于所述等离子体处理装置的腔室内，所述基板配置于所述静电吸盘上且被聚焦环包围的区域内；/n决定向所述静电吸盘的多个电极分别施加的多个电压，其中，所述多个电极包括在所述基板的中央区域的下方延伸的第一电极和在所述基板的边缘区域的下方延伸的第二电极，所述多个电压被决定为在所述基板被所述静电吸盘保持的状态下使来自等离子体的离子垂直地入射于所述中央区域和所述边缘区域这两方；以及/n在向所述多个电极分别施加所述多个电压的状态下，通过来自...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180802 JP 2018-1458161.一种等离子体蚀刻方法，包括以下工序：
将基板载置于等离子体处理装置的基板支承台上，其中，该基板支承台具有下部电极和设置于该下部电极的静电吸盘并且设置于所述等离子体处理装置的腔室内，所述基板配置于所述静电吸盘上且被聚焦环包围的区域内；
决定向所述静电吸盘的多个电极分别施加的多个电压，其中，所述多个电极包括在所述基板的中央区域的下方延伸的第一电极和在所述基板的边缘区域的下方延伸的第二电极，所述多个电压被决定为在所述基板被所述静电吸盘保持的状态下使来自等离子体的离子垂直地入射于所述中央区域和所述边缘区域这两方；以及
在向所述多个电极分别施加所述多个电压的状态下，通过来自在所述腔室内生成的等离子体的离子来蚀刻所述基板。
2.根据权利要求1所述的等离子体蚀刻方法，其特征在于，
使用表示所述聚焦环的状态的第一参数和表示所述基板的翘曲状态的第二参数的组与对所述多个电极的各电极分别提供的多个电压之间的预先确定出的关系来决定所述多个电压。
3.根据权利要求2所述的等离子体蚀刻方法，其特征在于，
所述第一参数是所述聚焦环的厚度、所述聚焦环的上表面的在高度方向上的位置或所述聚焦环在所述腔室内暴露在等离子体中的累积时间。
4.根据权利要求2或3所述的等离子体蚀刻方法，其特征在于，
通过对被所述静电吸盘保持之前的状态的所述基板进行光学或电测量来获取所述第二参数。
5.根据权利要求1所述的等离子体蚀刻方法，其特征在于，
以校正通过对所述腔室内的测试基板进行等离子体蚀刻而形成于所述测试基板的开口的角度的方式决定所述多个电压。
6.根据权利要求1至5中的任一项所述的等离子体蚀刻方法，其特征在于，
在决定多个电压的所述工序中，关于向所述多个电极分别施加的所述多个电压，
在离子朝向所述基板的中心轴线沿倾斜的方向入射于所述边缘区域的情况下，将向所述多个电极分别施加的所述多个电压决定为使所述边缘区域的上表面的在高度方向上的位置相应于距所述中心轴线的距离的增加而下降，
在离子沿铅垂方向入射于所述边缘区域的情况下，将向所述多个电极分别施加的所述多个电压决定为使所述边缘区域的上表面为水平的。
7.根据权利要求1至6中的任一项所述的等离子体蚀刻方法，其特征在于，
通过向所述多个电极分别施加所述多个电压来使所述基板变形。
8.根据权利要求1至7中的任一项所述的等离子体蚀刻方法，其特征在于，
在包括所述第二电极的区域中，所述静电吸盘的上表面形成为该上表面的在高度方向上的位置相应于距该静电吸盘的中心的径向上的距离的增加而下降。
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【专利技术属性】
技术研发人员：泽田石真之，广瀬润，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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