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本发明提供一种基于MOS管底层去除光阻的方法，所述方法包括：在向所述MOS管结构掺杂离子之前，当掺杂离子的掺杂工艺使用的是大束流工艺时，即离子注入掺杂剂量在10...
该专利属于苏州浪潮智能科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州浪潮智能科技有限公司授权不得商用。

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