基板处理方法以及基板处理装置制造方法及图纸

基板处理方法具备有：使溶解至处理液的氧减少并生成低氧处理液的工序(步骤S12)；以及对在主表面(即上表面)上形成有第一金属部以及接触到第一金属部的第二金属部的基板供给低氧处理液并进行上表面的处理的工序(步骤S14)。在步骤S14中，使低氧处理液接触到第一金属部与第二金属部之间的界面，由此抑制比第一金属部还贵的第二金属部中的氧还原反应并抑制第一金属部的溶解。依据该基板处理方法，能适当地抑制基板上的金属部(即第一金属部)的溶解。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】基板处理方法以及基板处理装置
本专利技术涉及一种用以处理基板的技术。
技术介绍
以往，在半导体基板(以下简称为“基板”)的制造工序中，使用基板处理装置对基板施予各种处理。例如，在日本特开2015-173285号公报(文献1)的基板处理装置中，对在表面露出金属图案(metalpattern)的基板供给已降低氧浓度的稀释氢氟酸(dilutehydrofluoricacid)等药液进行药液处理。在该药液处理中，由于使用已降低氧浓度的药液，因此抑制金属图案的氧化。另一方面，在基板表面露出异种金属的界面的情形中，会有因为异种金属间的电位差产生贱金属溶解的现象(所谓的伽凡尼腐蚀(galvaniccorrosion))的担心。因此，在日本特开2004-172576号公报(文献2)中提案了一种技术：在进行在表面露出铜(Cu)配线图案与金属层之间的界面的基板的蚀刻时，在蚀刻液添加苯并三唑(benzotriazole；BTA)等，由此在铜配线图案的表面形成保护膜并抑制溶解。此外，在日本特开2004-128109号公报(文献3)中提案了一种技术：在基本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基板处理方法，具备有：/n工序(a)，使溶解至处理液的氧减少并生成低氧处理液；以及/n工序(b)，对在主表面上形成有第一金属部以及接触到所述第一金属部的第二金属部的基板供给所述低氧处理液并进行所述主表面的处理；/n在所述工序(b)中，使所述低氧处理液接触到所述第一金属部与所述第二金属部之间的界面，由此抑制比所述第一金属部还贵的所述第二金属部中的氧还原反应并抑制所述第一金属部的溶解。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180420 JP 2018-0813261.一种基板处理方法，具备有：
工序(a)，使溶解至处理液的氧减少并生成低氧处理液；以及
工序(b)，对在主表面上形成有第一金属部以及接触到所述第一金属部的第二金属部的基板供给所述低氧处理液并进行所述主表面的处理；
在所述工序(b)中，使所述低氧处理液接触到所述第一金属部与所述第二金属部之间的界面，由此抑制比所述第一金属部还贵的所述第二金属部中的氧还原反应并抑制所述第一金属部的溶解。


2.如权利要求1所记载的基板处理方法，其中，
在所述工序(a)中，将氧以外的气体的气泡供给至所述处理液中，由此使所述处理液中的氧减少。


3.如权利要求1所记载的基板处理方法，其中，
在所述工序(a)中，一边在由氧透过材料所形成的管路使所述处理液流动一边将所述管路的外侧的空间设定成低氧环境气体，由此使所述处理液中的氧减少。


4.如权利要求1所记载的基板处理方法，其中，
所述低氧处理液的溶解氧浓度在500ppb以下。


5.如权利要求1至4中任一项所记载的基板处理方法，其中，
进一步具备有：工序(c)，在所述工序(a)之前，设定所述低氧处理液的溶解氧浓度的目标值；
在所述工序(a)中的所述低氧处理液的生成中，以所述低氧处理液的溶解氧浓度变成所述目标值以下的方式进行控制。


6.如权利要求5所记载的基板处理方法，其中，
在所述工序(c)中，溶解氧浓度的所述目标值依据所述第一金属部与所述第二金属部的组合而设定。


7.如权利要求5或6所记载的基板处理方法，其中，
在所述工序(b)中，在被供给至所述基板的时间点的所述低氧处理液的溶解氧浓度在所述目标值...

【专利技术属性】
技术研发人员：高桥弘明，赤西勇哉，
申请(专利权)人：株式会社斯库林集团，
类型：发明
国别省市：日本;JP