加热处理装置和加热处理方法制造方法及图纸

对形成于基板的涂布膜进行加热处理的加热处理装置具有：载置部，其载置基板；加热部，其用于将载置的基板进行加热；环状体，其以包围该载置部的外周的方式设置；盖体，其覆盖该载置部，并且通过盖体的下表面与所述环状体抵接或接近来形成加热处理空间；中央排气部，其配置于该盖体的中央部，用于对该加热处理空间内进行排气；以及控制部，其对载置于该载置部的基板的加热处理进行控制，其中，该控制部进行控制以进行以下工序：第一加热处理工序，在形成该加热处理空间并且在该加热处理空间内存在基板的状态下，不对该加热处理空间内进行排气，进行该基板的加热；以及第二加热处理工序，使该中央排气部工作来对该加热处理空间内进行排气，并且进行该基板的加热。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】加热处理装置和加热处理方法
(相关申请的交叉引用)本申请主张2018年3月23日向日本申请的特愿2018-56754号的优先权，并且将其内容引用至此。本专利技术涉及一种加热处理装置和加热处理方法。
技术介绍
在半导体器件的制造工序中，例如对于形成有抗蚀膜等涂布膜的基板、例如半导体晶圆(在以下的说明中有时简称为晶圆)，为了使所述涂布膜干燥而对该半导体晶圆进行加热处理。以往以来，使用加热处理装置来进行这样的加热处理，但在进行加热时对膜厚的均匀性产生影响，因此需要留意加热处理容器内的气流控制、排气控制。例如，在仅从设置于晶圆的中央部上方的排气口进行了加热处理容器内的排气处理的情况下，由于在处理容器内形成的排气流的影响，使得被涂布于晶圆上的涂布膜的膜厚变得中心部比外周部厚。因此，在专利文献1所记载的加热处理装置中，除了具有在与载置于载置部的晶圆的中心一致的上方位置设置的中央排气口以外，在比晶圆的外缘更靠外侧的上方位置还具有沿周向等间隔地形成的外周排气口。在专利文献1中，在将晶圆进行加热来进行交联反应时，从中央排气口以少的排气流量进行排气，从外周排气口以大的流量进行排气。由此，能够控制加热处理容器内的、尤其是晶圆的中心部的排气流，抑制晶圆的中心处的膜的隆起，关于形成于晶圆上的涂布膜的膜厚确保良好的面内均匀性。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2016-115919号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题然而，在上述的专利文献1所记载的加热处理装置中，虽然整体上能够使膜厚的面内均匀性提高，但通过在加热处理中从中心排气口和外周排气口这两方对处理容器氛围气体进行排气，在处理容器内产生朝向两方的排气口的排气流。其结果，有时涂布膜的中心部和周缘部的膜厚比其它部分的膜厚厚。即，晶圆上的膜厚的面内均匀性存在进一步的改善的余地。本专利技术的一个方式是鉴于该点而完成的，在对基板进行加热处理时使基板上的涂布膜的膜厚的面内均匀性进一步提高。用于解决问题的方案本专利技术的一个方式是一种加热处理装置，对形成于基板的涂布膜进行加热处理，所述加热处理装置具有：载置部，其载置基板；加热部，其用于将载置于所述载置部载置的基板进行加热；环状体，其以包围所述载置部的外周的方式设置；盖体，其覆盖所述载置部，并且通过所述盖体的下表面与所述环状体抵接或接近来形成加热处理空间；中央排气部，其配置于所述盖体的中央部，用于对所述加热处理空间内进行排气；以及控制部，其对载置于所述载置部的基板的加热处理进行控制，其中，所述控制部进行控制以进行以下工序：第一加热处理工序，在形成所述加热处理空间并且在所述加热处理空间内存在所述基板的状态下，不对所述加热处理空间内进行排气，进行所述基板的加热；以及第二加热处理工序，使所述中央排气部工作来对所述加热处理空间内进行排气，并且进行所述基板的加热。根据本专利技术的一个方式，在第一加热处理工序中不对通过盖体与环状体抵接或接近形成的加热处理空间内进行排气。然后，进行第二加热处理工序，在之后的第二加热处理工序中，使所述中央排气部工作来对所述加热处理空间内进行排气，并且进行所述基板的加热。因而，能够减轻排气流对膜厚的影响，能够使涂布膜的面内均匀性提高。此外，此处的接近是指在盖体与环状体之间存在间隙的状态，例如间隙的大小为超过0mm且1mm以下。基于其它观点的本专利技术的一个方式是一种加热处理方法，用于对形成于基板的涂布膜进行加热处理，在所述加热处理方法中，形成以将基板载置于具有加热功能的载置部的状态收容该载置部和基板的加热处理空间，所述加热处理方法包括：第一加热处理工序，在所述加热处理空间内存在基板的状态下，不对所述加热处理空间内进行排气，进行所述基板的加热；以及第二加热处理工序，至少从所述加热处理空间的中央部的上方对所述加热处理空间内进行排气，并且进行所述基板的加热。专利技术的效果根据本专利技术的一个方式，在将基板进行加热时，能够使基板上的涂布膜的膜厚的面内均匀性较以往进一步提高。附图说明图1是示出具备本实施方式所涉及的加热处理装置的基板处理系统的概要的俯视图。图2是图1的基板处理系统的主视图。图3是图1的基板处理系统的后视图。图4是示意性地示出表示本实施方式所涉及的加热处理装置的结构的概要的侧面截面的说明图。图5是示意性地示出图4的加热处理装置形成了加热处理空间的情况的说明图。图6是示意性地示出在图5的加热处理装置中环状体下降了的状态的说明图。图7是示出本实施方式所涉及的加热处理装置的一系列动作的流程的说明图。图8是示出本实施方式所涉及的加热处理装置的一系列动作的流程的说明图。图9是以随时间的变化分别示出本实施方式所涉及的加热处理装置中的晶圆加热期间的一系列动作的流程以及基板温度的曲线图。具体实施方式下面，参照附图来说明本专利技术的实施方式。此外，在本说明书和附图中，对实质上具有相同的功能结构的要素标注相同的标记，由此省略重复说明。<基板处理系统>首先，对具备本实施方式所涉及的加热处理装置的基板处理系统的结构进行说明。图1是示意性地示出基板处理系统1的结构的概要的俯视图。图2和图3分别是示意性地示出基板处理系统1的内部结构的主视图和后视图。在基板处理系统1中，对作为被处理基板的晶圆W进行规定的处理。如图1所示，基板处理系统1具有将以下部分连接为一体所得到的结构：盒交接站10，针对该盒交接站10进行收容有多张晶圆W的盒C的搬入和搬出；处理站11，其具备向晶圆W实施规定的处理的多个各处理装置；以及接口站13，其与同处理站11相邻的曝光装置12之间进行晶圆W的交接。在盒交接站10设置有盒载置台20。在盒载置台20设置有用于在相对于基板处理系统的外部搬入和搬出盒C时载置盒C的多个盒载置板21。如图1所示，在盒交接站10设置有在沿X方向延伸的搬送路径22上移动自如的晶圆搬送装置23。晶圆搬送装置23还能够在上下方向上移动自如以及绕铅垂(θ方向)移动自如，能够在各盒载置板21上的盒C与后述的处理站11的第三块G3的交接装置之间搬送晶圆W。在处理站11设置有具备各种装置的多个块，例如四个块，即第一块G1～第四块G4。例如在处理站11的背面侧(图1的X方向正方向侧、图面的上侧)设置有第二块G2。另外，在处理站11的盒交接站10侧(图1的Y方向负方向侧)设置有已述的第三块G3，在处理站11的接口站13侧(图1的Y方向正方向侧)设置有第四块G4。例如图2所示，在第一块G1从下到上依次配置有多个液处理装置，例如对晶圆W进行显影处理的显影处理装置30、在晶圆W的处理膜的下层形成防反射膜(以下称作“下部防反射膜”)的下部防反射膜形成装置31、向晶圆W涂布抗蚀剂来形成处理膜的作为处理液涂布装置的抗蚀剂涂布装置32、在晶圆W的处理膜的上层形成防反射膜(以下称作“上部防反射膜”)的上部防反射膜本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种加热处理装置，对形成于基板的涂布膜进行加热处理，所述加热处理装置具有：/n载置部，其载置基板；/n加热部，其用于将载置于所述载置部的基板进行加热；/n环状体，其以包围所述载置部的外周的方式设置；/n盖体，其覆盖所述载置部，并且通过所述盖体的下表面与所述环状体抵接或接近来形成加热处理空间；/n中央排气部，其配置于所述盖体的中央部，用于对所述加热处理空间内进行排气；以及/n控制部，其对载置于所述载置部的基板的加热处理进行控制，/n其中，所述控制部进行控制以进行以下工序：/n第一加热处理工序，在形成所述加热处理空间并且在所述加热处理空间内存在所述基板的状态下，不对所述加热处理空间内进行排气，进行所述基板的加热；以及第二加热处理工序，使所述中央排气部工作来对所述加热处理空间内进行排气，并且进行所述基板的加热。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180323 JP 2018-0567541.一种加热处理装置，对形成于基板的涂布膜进行加热处理，所述加热处理装置具有：
载置部，其载置基板；
加热部，其用于将载置于所述载置部的基板进行加热；
环状体，其以包围所述载置部的外周的方式设置；
盖体，其覆盖所述载置部，并且通过所述盖体的下表面与所述环状体抵接或接近来形成加热处理空间；
中央排气部，其配置于所述盖体的中央部，用于对所述加热处理空间内进行排气；以及
控制部，其对载置于所述载置部的基板的加热处理进行控制，
其中，所述控制部进行控制以进行以下工序：
第一加热处理工序，在形成所述加热处理空间并且在所述加热处理空间内存在所述基板的状态下，不对所述加热处理空间内进行排气，进行所述基板的加热；以及第二加热处理工序，使所述中央排气部工作来对所述加热处理空间内进行排气，并且进行所述基板的加热。


2.根据权利要求1所述的加热处理装置，其特征在于，
形成所述加热处理空间的盖体在所述环状体与盖体的抵接或接近部分的外侧具有外周排气部。


3.根据权利要求2所述的加热处理装置，其特征在于，
所述外周排气部在所述盖体的下表面侧具有遍及整周地开口的环状的形状。


4.根据权利要求2所述的加热处理装置，其特征在于，
所述外周排气部在所述第二加热处理工序中工...

【专利技术属性】
技术研发人员：大塚幸信，相良慎一，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP