加热处理装置和加热处理方法制造方法及图纸

对形成于基板的涂布膜进行加热处理的加热处理装置具有：载置部，其载置基板；加热部，其用于将载置的基板进行加热；环状体，其以包围该载置部的外周的方式设置；盖体，其覆盖该载置部，并且通过盖体的下表面与所述环状体抵接或接近来形成加热处理空间；中央排气部，其配置于该盖体的中央部，用于对该加热处理空间内进行排气；以及控制部，其对载置于该载置部的基板的加热处理进行控制，其中，该控制部进行控制以进行以下工序：第一加热处理工序，在形成该加热处理空间并且在该加热处理空间内存在基板的状态下，不对该加热处理空间内进行排气，进行该基板的加热；以及第二加热处理工序，使该中央排气部工作来对该加热处理空间内进行排气，并且进行该基板的加热。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】加热处理装置和加热处理方法
(相关申请的交叉引用)本申请主张2018年3月23日向日本申请的特愿2018-56754号的优先权，并且将其内容引用至此。本专利技术涉及一种加热处理装置和加热处理方法。
技术介绍
在半导体器件的制造工序中，例如对于形成有抗蚀膜等涂布膜的基板、例如半导体晶圆(在以下的说明中有时简称为晶圆)，为了使所述涂布膜干燥而对该半导体晶圆进行加热处理。以往以来，使用加热处理装置来进行这样的加热处理，但在进行加热时对膜厚的均匀性产生影响，因此需要留意加热处理容器内的气流控制、排气控制。例如，在仅从设置于晶圆的中央部上方的排气口进行了加热处理容器内的排气处理的情况下，由于在处理容器内形成的排气流的影响，使得被涂布于晶圆上的涂布膜的膜厚变得中心部比外周部厚。因此，在专利文献1所记载的加热处理装置中，除了具有在与载置于载置部的晶圆的中心一致的上方位置设置的中央排气口以外，在比晶圆的外缘更靠外侧的上方位置还具有沿周向等间隔地形成的外周排气口。在专利文献1中，在将晶圆进行加热来进行交联反应时，从中央排气本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种加热处理装置，对形成于基板的涂布膜进行加热处理，所述加热处理装置具有：/n载置部，其载置基板；/n加热部，其用于将载置于所述载置部的基板进行加热；/n环状体，其以包围所述载置部的外周的方式设置；/n盖体，其覆盖所述载置部，并且通过所述盖体的下表面与所述环状体抵接或接近来形成加热处理空间；/n中央排气部，其配置于所述盖体的中央部，用于对所述加热处理空间内进行排气；以及/n控制部，其对载置于所述载置部的基板的加热处理进行控制，/n其中，所述控制部进行控制以进行以下工序：/n第一加热处理工序，在形成所述加热处理空间并且在所述加热处理空间内存在所述基板的状态下，不对所述加热处理空间内进行排气，...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180323 JP 2018-0567541.一种加热处理装置，对形成于基板的涂布膜进行加热处理，所述加热处理装置具有：
载置部，其载置基板；
加热部，其用于将载置于所述载置部的基板进行加热；
环状体，其以包围所述载置部的外周的方式设置；
盖体，其覆盖所述载置部，并且通过所述盖体的下表面与所述环状体抵接或接近来形成加热处理空间；
中央排气部，其配置于所述盖体的中央部，用于对所述加热处理空间内进行排气；以及
控制部，其对载置于所述载置部的基板的加热处理进行控制，
其中，所述控制部进行控制以进行以下工序：
第一加热处理工序，在形成所述加热处理空间并且在所述加热处理空间内存在所述基板的状态下，不对所述加热处理空间内进行排气，进行所述基板的加热；以及第二加热处理工序，使所述中央排气部工作来对所述加热处理空间内进行排气，并且进行所述基板的加热。


2.根据权利要求1所述的加热处理装置，其特征在于，
形成所述加热处理空间的盖体在所述环状体与盖体的抵接或接近部分的外侧具有外周排气部。


3.根据权利要求2所述的加热处理装置，其特征在于，
所述外周排气部在所述盖体的下表面侧具有遍及整周地开口的环状的形状。


4.根据权利要求2所述的加热处理装置，其特征在于，
所述外周排气部在所述第二加热处理工序中工...

【专利技术属性】
技术研发人员：大塚幸信，相良慎一，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP