用于图案化具有所需尺寸的材料层的方法技术

提供了用于图案化膜堆叠的方法。在一个实施方式中，一种用于图案化设置在基板上的膜堆叠的方法包括以下步骤：执行第一蚀刻工艺以蚀刻设置在基板上的膜堆叠，其中所述膜堆叠包括设置在上层上的图案化的光刻胶层，所述上层位于设置在所述基板上的下层上，其中所述图案化的光刻胶层包括界定在特征之间的开口，且所述特征具有第一间距，其中所述第一蚀刻工艺从所述膜堆叠移除由所述图案化的光刻胶层所暴露的所述下层的约40％与约95％之间；在所述膜堆叠上执行第二蚀刻工艺；和在所述第二蚀刻工艺完成之后，将所述特征转移到所述膜堆叠中的所述上层或所述下层中而具有第二间距，其中所述第二间距比所述第一间距短。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于图案化具有所需尺寸的材料层的方法
本公开内容的示例大体涉及图案化材料层中的特征和/或开口。详细而言，本公开内容的实施方式提供了用于用精确的尺寸控制来图案化材料层中的特征和/或开口的方法。
技术介绍
在制造集成电路(IC)或芯片(chip)时，芯片设计者创造表示不同芯片层的图案。从这些图案产生一系列可重复使用的掩模或光掩模以在制造工艺期间将每个芯片层的设计转移到半导体基板上。掩模图案产生系统使用精确的激光或电子束来将每个芯片层的设计成像到相应的掩模上。接着很像照相底片地将掩模用来将每个层的电路图案转移到半导体基板上。这些层是使用一系列的处理来建立的，且被转换成包括每个完成的芯片的微小晶体管和电路。因此，掩模中的任何缺陷可能转移到芯片，从而可能不利地影响性能。足够严重的缺陷可能使得掩模完全无用。一般而言，15个到100个掩模的组被用来构造芯片，且可以重复使用。随着临界尺寸(CD)的缩小，目前的光刻术接近45纳米(nm)技术节点的技术极限。预期下一代光刻术(NGL)例如在20nm及更为超越的技术节点中替换常规的光刻法。通过高精确度光学系统本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于图案化设置在基板上的膜堆叠的方法，所述方法包括以下步骤：/n执行第一蚀刻工艺以蚀刻设置在基板上的膜堆叠，其中所述膜堆叠包括设置在上层上的图案化的光刻胶层，所述上层位于设置在所述基板上的下层上，其中所述图案化的光刻胶层包括界定在特征之间的开口，且所述特征具有第一间距，其中所述第一蚀刻工艺从所述膜堆叠移除由所述图案化的光刻胶层所暴露的所述下层的约40％与约95％之间；/n在所述膜堆叠上执行第二蚀刻工艺；和/n在所述第二蚀刻工艺完成之后，将所述特征转移到所述膜堆叠中的所述上层或所述下层中而具有第二间距，其中所述第二间距比所述第一间距短。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180509 US 15/975,4081.一种用于图案化设置在基板上的膜堆叠的方法，所述方法包括以下步骤：
执行第一蚀刻工艺以蚀刻设置在基板上的膜堆叠，其中所述膜堆叠包括设置在上层上的图案化的光刻胶层，所述上层位于设置在所述基板上的下层上，其中所述图案化的光刻胶层包括界定在特征之间的开口，且所述特征具有第一间距，其中所述第一蚀刻工艺从所述膜堆叠移除由所述图案化的光刻胶层所暴露的所述下层的约40％与约95％之间；
在所述膜堆叠上执行第二蚀刻工艺；和
在所述第二蚀刻工艺完成之后，将所述特征转移到所述膜堆叠中的所述上层或所述下层中而具有第二间距，其中所述第二间距比所述第一间距短。


2.如权利要求1所述的方法，其中所述膜堆叠进一步包括设置在所述基板与所述下层之间的第一介电层和金属介电层。


3.如权利要求1所述的方法，其中所述第二间距比所述第一间距短约20％与约60％之间。


4.如权利要求1所述的方法，其中第一蚀刻工艺或所述第二蚀刻工艺是定向蚀刻工艺。


5.如权利要求4所述的方法，其中所述定向蚀刻工艺向所述膜堆叠提供具有从约0度到约60度或从约120...

【专利技术属性】
技术研发人员：张郢，周林，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国;US