半导体工艺方法技术

本发明专利技术提供一种半导体工艺方法，包括步骤：1)提供衬底；2)于衬底上形成待刻蚀材料层，其上表面具有高度差；3)于待刻蚀材料层的上表面形成抗反射层；4)于抗反射层的上表面形成正性光刻胶层；5)进行选择性曝光以在正性光刻胶层上形成曝光区域和未曝光区域；6)进行负性显影以去除未曝光区域的正性光刻胶；7)于正性光刻胶层的表面形成酸化区域，其包含可与含硅气体发生反应的聚合物；8)采用含硅气体对酸化区域进行处理，以使其转化为掩膜层；9)去除抗反射层及待刻蚀材料层。本发明专利技术可以有效用于制作具有高台阶差的超微细图形，有利于确保器件尺寸精度，提高图形质量，进而有助于改善工艺生产良率，降低生产成本。

【技术实现步骤摘要】
半导体工艺方法
本专利技术属于半导体制造领域，特别是涉及一种半导体工艺方法。
技术介绍
在半导体芯片制造过程中，由于种种原因会使得形成在衬底上的待刻蚀材料层的上表面具有高度差，即待刻蚀材料层部分区域的上表面高于同层的其他区域的高度而在高低交界处形成台阶差(stepheight)。台阶差的存在会给工艺增加不少难度，比如在薄膜沉积工艺中容易导致薄膜沉积不均匀，在刻蚀工艺中容易导致刻蚀速率的差异等。这其中，台阶差对光刻工艺的不良影响尤为突出，譬如，台阶差容易导致光刻过程中发生散焦(defocus)、解像不充分(sub-resolution)以及影响光刻胶的刻蚀阻挡效果(etchprevention)等问题，进而导致生产良率的下降。随着半导体器件特征尺寸的日益缩小以及器件集成度越来越高，高密度超微细图形制造过程中面临的技术挑战也越来越大，台阶差现象已经成为制约器件集成度进一步提高及半导体器件特征尺寸进一步缩小的关键因素。如何减小台阶差对工艺的不良影响，尤其是对光刻工艺的不良影响，已经成为半导体器件制造人员急需解决的问题。r>专利技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体工艺方法，其特征在于，所述半导体工艺方法包括如下步骤：/n1)提供衬底；/n2)于所述衬底上形成待刻蚀材料层，所述待刻蚀材料层的上表面具有高度差；/n3)于所述待刻蚀材料层的上表面形成抗反射层；/n4)于所述抗反射层的上表面形成正性光刻胶层；/n5)对所述正性光刻胶层进行选择性曝光以在所述正性光刻胶层上形成曝光区域和未曝光区域；/n6)对曝光后的所述正性光刻胶层进行负性显影，以去除所述未曝光区域的正性光刻胶；/n7)于所述曝光区域的所述正性光刻胶层的表面形成酸化区域，所述酸化区域包含可与含硅气体发生反应的聚合物；/n8)采用含硅气体对所述酸化区域进行处理，以使所述酸化区域转化为掩...

【技术特征摘要】
1.一种半导体工艺方法，其特征在于，所述半导体工艺方法包括如下步骤：
1)提供衬底；
2)于所述衬底上形成待刻蚀材料层，所述待刻蚀材料层的上表面具有高度差；
3)于所述待刻蚀材料层的上表面形成抗反射层；
4)于所述抗反射层的上表面形成正性光刻胶层；
5)对所述正性光刻胶层进行选择性曝光以在所述正性光刻胶层上形成曝光区域和未曝光区域；
6)对曝光后的所述正性光刻胶层进行负性显影，以去除所述未曝光区域的正性光刻胶；
7)于所述曝光区域的所述正性光刻胶层的表面形成酸化区域，所述酸化区域包含可与含硅气体发生反应的聚合物；
8)采用含硅气体对所述酸化区域进行处理，以使所述酸化区域转化为掩膜层；
9)依据所述掩膜层去除所述未曝光区域的所述抗反射层及所述待刻蚀材料层。


2.根据权利要求1所述的半导体工艺方法，其特征在于：步骤1)与步骤2)之间还包括于所述衬底的上表面形成刻蚀阻挡层的步骤，所述待刻蚀材料层形成于所述刻蚀阻挡层的上表面。


3.根据权利要求1所述的半导体工艺方法，其特征在于：所述待刻蚀材料层包括待刻蚀区域及非...

【专利技术属性】
技术研发人员：李天慧，王科，
申请(专利权)人：芯恩青岛集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37