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本发明提供一种半导体工艺方法，包括步骤：1)提供衬底；2)于衬底上形成待刻蚀材料层，其上表面具有高度差；3)于待刻蚀材料层的上表面形成抗反射层；4)于抗反射层的上表面形成正性光刻胶层；5)进行选择性曝光以在正性光刻胶层上形成曝光区域和未曝光...
该专利属于芯恩(青岛)集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过芯恩(青岛)集成电路有限公司授权不得商用。

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