一种半导体结构及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体结构及其制造方法，其中，所述半导体结构包括：晶圆本体，具有掺杂离子及第一表面与第二表面，所述晶圆本体的第一表面暴露于外部；第一保护层，位于所述晶圆本体的所述第二表面和侧面上；第二保护层，位于所述第一保护层上；其中，所述第一保护层的材质与所述第二保护层的材质不同。本发明专利技术改善了含有掺杂离子的晶圆的背面或者侧面被污染的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体结构及其制造方法
本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种半导体结构及其制造方法。
技术介绍
目前，现有的晶圆大多不具有保护层，很多半导体企业从供应商买回晶圆后，都是直接在晶圆上制作电路，这样有时会遇到很多困扰，比如，在半导体器件制作工艺中会用到工艺方法，从原子沉积、光刻工艺到刻蚀工艺等，以湿法刻蚀为例，湿法刻蚀是将刻蚀材料浸泡在腐蚀液内进行腐蚀的技术，其中的腐蚀液有可能会污染晶圆的背面，尤其是对已经在晶圆内掺杂有活性离子的半导体结构，这时，只希望在晶圆的指定区域有掺杂离子，例如晶圆的背面或者侧面是不需要掺杂的，但腐蚀液有可能使晶圆的背面或者侧面也掺杂有离子，这样晶圆的背面或者侧面就受到污染了，这就可能会影响最终半导体产品的性能，也可能会对良率产生影响。另外，若使用现有的没有保护层的晶圆去制作半导体产品，还有可能会遇到一个问题，例如，在某一个工艺中，想要保护晶圆的背面或者侧面，这时再采取措施来进行保护，这无疑会增加制作工艺的步骤，也会打乱原有制作工艺的流程，使得操作变得繁琐和困难。
技术实现思路
鉴于上述现有技术的缺陷，本专利技术提出一种半导体结构及其制造方法，其中，通过在开始制作半导体产品之前，在掺杂有离子的晶圆的背面或者侧面形成至少两层保护层，作为原始晶圆基材，改善了含有掺杂离子的晶圆的背面或者侧面被污染的问题。为实现上述目的及其他目的，本专利技术是采用如下技术方案来实现的，本专利技术提供一种半导体结构，包括：晶圆本体，具有掺杂离子及第一表面与第二表面，所述晶圆本体的第一表面暴露于外部；第一保护层，位于所述晶圆本体的所述第二表面和侧面上；第二保护层，位于所述第一保护层上；其中，所述第一保护层的材质与所述第二保护层的材质不同。在一实施例中，所述第一保护层为氧化硅层。在一实施例中，所述第二保护层为多晶硅层。在一实施例中，所述掺杂离子为硼离子、磷离子、砷离子和镓离子中的任意一种或多种组合。在一实施例中，所述第一保护层的厚度为50纳米～150纳米。在一实施例中，所述第二保护层的厚度为100纳米～200纳米。在一实施例中，所述半导体结构还包括第三保护层或者第四保护层，所述第三保护层形成于所述第二保护层上，所述第四保护层形成于所述第三保护层上。本专利技术的目的还在于提供一种半导体结构的制造方法，其至少包括以下步骤：提供一晶圆本体，所述晶圆本体具有掺杂离子及第一表面与第二表面；形成第一保护层于所述晶圆本体的所述第二表面和侧面上；形成第二保护层于所述第一保护层上；其中，所述第一保护层的材质与所述第二保护层的材质不同。在一实施例中，所述第一保护层和所述第二保护层形成的步骤包括：形成第一保护膜于所述晶圆本体上，使所述第一保护膜包裹所述晶圆本体；形成第二保护膜于所述第一保护膜上，使所述第二保护膜包裹所述第一保护膜；进行第一刻蚀，去除所述晶圆本体的第一表面上的所述第二保护膜；进行第二刻蚀，去除所述第一表面上的所述第一保护膜，使所述晶圆本体的第一表面暴露于外部，获得所述第一保护层和所述第二保护层。在一实施例中，所述第一刻蚀为干法刻蚀，所述干法刻蚀中等离子体的方向垂直于所述晶圆本体的第一表面。在一实施例中，在所述第一刻蚀中，通过使所述第二保护膜和所述第一保护膜之间的刻蚀选择比大于10，来去除所述第二保护膜。在一实施例中，所述第二刻蚀为湿法刻蚀。本专利技术提供一种半导体结构及其制造方法，其中，通过在开始制作半导体产品之前，在掺杂有离子的晶圆的背面和/或侧面形成至少两层保护层，作为原始晶圆基材，可以作为晶圆基材批量生产，也可以在制造半导体器件开始前，制成所述半导体结构，然后在其上继续进行半导体器件的制作，改善了含有掺杂离子的晶圆的背面或者侧面被污染的问题。本专利技术的制造方法新颖，具体的，先形成所述第一保护膜，包裹住所述晶圆本体，然后再形成所述第二保护膜，来包裹所述第一保护膜，然后，使用干法刻蚀来刻蚀所述晶圆本体的第一表面上的所述第二保护膜，采用本专利技术中的刻蚀选择比，能使得所述晶圆本体的第一表面上的所述第二保护膜刚好被刻蚀完，且不破坏所述第一保护膜，然后，再进行所述第二刻蚀，例如利用湿法刻蚀工艺来刻蚀所述晶圆本体的第一表面上的所述第二保护膜，利用这种制造方法能够简化工艺，且使得所述第一保护层和所述第二保护层均匀致密。本专利技术的制造方法能保证所述晶圆本体的第一表面不受损伤，且使得所述晶圆本体的第二表面上，形成所述第一保护层和所述第二保护层。附图说明图1：本专利技术一实施例中的所述晶圆本体的示意图；图2：本专利技术一实施例中被所述第一保护膜包裹的所述晶圆本体的示意图；图3：本专利技术一实施例中被所述第二保护膜包裹的所述晶圆本体的示意图；图4：本专利技术一实施例中所述晶圆本体的第一表面上的所述第二保护膜，被刻蚀掉后的示意图；图5：本专利技术一实施例中所述半导体结构的示意图；图6：本专利技术一实施例中所述半导体结构的背面中心区域的电镜图；图7：本专利技术一实施例中所述半导体结构的背面和侧面边缘区域的扫描电镜图；图8：图7中A位置的放大图；图9：图7中B位置的放大图；图10：本专利技术一实施例中所述半导体结构的正面和侧面边缘区域的扫描电镜图；图11：图10中C位置的放大图；图12：图10中D位置的放大图；图13：本专利技术一实施例中所述半导体结构具有第三保护层和第四保护层的示意图；图14：本专利技术一实施例中所述半导体结构的制造方法流程图。符号说明101、晶圆本体；1011、第一表面；1012、第二表面；1013、侧面；102、第一保护层；103、第二保护层；104、第一保护膜；105、第二保护膜；106、第三保护层；107、第四保护层；A、半导体结构背面边缘的位置；B、半导体结构侧面边缘相对上位置；C、半导体结构正面边缘的位置；D、半导体结构侧面边缘相对下位置。具体实施方式以下通过特定的具体实例说明本专利技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本专利技术的其他优点与功效。本专利技术还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本专利技术的精神下进行各种修饰或改变。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本专利技术的基本构想，遂图式中仅显示与本专利技术中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。在本专利技术中，需要说明的是，如出现术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等，其所指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或组件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：/n晶圆本体，具有掺杂离子及第一表面与第二表面，所述晶圆本体的第一表面暴露于外部；/n第一保护层，位于所述晶圆本体的所述第二表面和侧面上；/n第二保护层，位于所述第一保护层上；/n其中，所述第一保护层的材质与所述第二保护层的材质不同。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
晶圆本体，具有掺杂离子及第一表面与第二表面，所述晶圆本体的第一表面暴露于外部；
第一保护层，位于所述晶圆本体的所述第二表面和侧面上；
第二保护层，位于所述第一保护层上；
其中，所述第一保护层的材质与所述第二保护层的材质不同。


2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一保护层为氧化硅层。


3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二保护层为多晶硅层。


4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述掺杂离子为硼离子、磷离子、砷离子和镓离子中的任意一种或多种组合。


5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一保护层的厚度为50纳米～150纳米。


6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二保护层的厚度为100纳米～200纳米。


7.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，其至少包括以下步骤：

【专利技术属性】
技术研发人员：林祐丞，杨智强，林子荏，林政纬，
申请(专利权)人：南京晶驱集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32