光学邻近修正模型的建模方法技术

本发明专利技术提供了一种光学邻近修正模型的建模方法，至少包括以下步骤：设计测试图形，并根据所述测试图形制作测试光罩；利用所述测试光罩将所述测试图形转移至晶圆上，在所述晶圆上形成实际图形，并收集所述实际图形的第一晶圆数据；通过所述第一晶圆数据确定离焦量范围；根据所述离焦量范围进行拟合，以建立光学邻近修正模型。即本发明专利技术通过提前确定离焦量范围，且在所述光学邻近修正模型的建模的拟合过程中，将离焦量设定在确定的离焦量范围内，可以减少回归处理的时间和次数，缩短光学邻近修正模型的建模时间，提高建模的效率。提高建模的效率。提高建模的效率。

【技术实现步骤摘要】
光学邻近修正模型的建模方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种光学邻近修正模型的建模方法。

技术介绍

[0002]光刻技术是集成电路制造工艺发展的驱动力，也是最为复杂的技术之一。相对于其它单个制造技术来说，光刻技术的提高对集成电路的发展具有重要意义。在光刻工艺开始之前，首先需要将图案通过特定设备复制到掩膜版上，然后通过光刻设备产生特定波长的光将掩膜版上的图案结构复制到生产芯片的硅片上。但是，由于半导体器件尺寸的不断缩小，光的衍射效应变得越来越明显，结果就是最终对设计图形产生光学影像退化，造成掩膜版上的图案转移到硅片的过程中发生失真现象，即最终在硅片上经过光刻形成的实际图形变得和设计图形不同，产生OPE(Optical Proximity Effect，光学临近效应)，如果不消除这种失真现象会导致整个制造工艺的失败。
[0003]为了修正OPE现象，便产生了OPC(Optical Proximity Correction，光学邻近效应修正)。OPC的核心思想就是对所述掩膜版进行光刻前预处理，通过预先修改使得修改补偿的量正好能够补偿曝光系统造成的光学邻近效应。具体来说，建立OPC模型，根据OPC模型设计光掩膜图形，虽然光刻后的光刻图形相对于光掩膜图形发生了OPE现象，但是根据OPC模型设计光掩膜图形的过程中已经考虑了对该现象的抵消，因此，光刻后的光刻图形接近于用户实际希望得到的目标图形。
[0004]现有光刻工艺条件下，常规建立OPC 模型的方法是：首先，设计测试图形；其次，制作测试光罩；然后，收集测试光罩上的wafer data（晶圆数据），并检查整理收集到的晶圆数据；最后，使用有效合理的晶圆数据建立OPC 模型。建立OPC模型时我们要对光学项参数和非光学项参数做calculation（计算）和regression（回归处理）,并且这个过程是不断循环往复的，直到OPC模型找到最合适的参数。光学项和非光学项参数如果很多，每个参数又会设定一个范围，如果一个过程结束，用来建模型的数据权重或者个数等做调整，那么就需要重新对参数进行拟合，这样就会需要很长时间进行拟合，对产品生产计划造成压力，也浪费了大量系统资源和人力。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的在于提供一种光学邻近修正模型的建模方法，以缩短光学邻近修正模型的建模时间，提高建模的效率。
[0006]为了实现上述目的以及其他相关目的，本专利技术提供了一种光学邻近修正模型的建模方法，其至少包括以下步骤：设计测试图形，并根据所述测试图形制作测试光罩；利用所述测试光罩将所述测试图形转移至晶圆上，在所述晶圆上形成实际图形，并收集所述实际图形的第一晶圆数据；通过所述第一晶圆数据确定离焦量范围，具体方法包括：根据所述第一晶圆数据
查找所述测试图形中的图形宽疏区的目标点，且所述目标点对应的第一晶圆数据达到工艺目标要求；利用仿真软件绘画出所述图形宽疏区的目标点对应的泊松曲线；获取所述泊松曲线的顶点值，并根据所述顶点值确定所述离焦量范围；根据所述离焦量范围进行拟合，以建立光学邻近修正模型。
[0007]可选的，在所述的光学邻近修正模型的建模方法中，所述离焦量范围为所述顶点值
±
10%。
[0008]可选的，在所述的光学邻近修正模型的建模方法中，根据所述离焦量范围进行拟合的方法包括：获取所述图形宽疏区的目标点在聚焦矩阵条件下的第二晶圆数据；在所述第二晶圆数据中选取多个离焦量及其对应的实际关键尺寸，所述多个离焦量包括最佳曝光离焦量、至少一个大于所述最佳曝光离焦量的离焦量以及至少一个小于所述最佳曝光离焦量的离焦量，并绘出所述实际关键尺寸的趋势图；在所述离焦量范围内选取至少三个离焦量分别进行模型计算和回归处理，得到对应的模拟关键尺寸，并绘出所述模拟关键尺寸的趋势图；通过调整在所述离焦量范围内选取的离焦量来调控所述模拟关键尺寸，直至所述模拟关键尺寸与所述实际关键尺寸的变化趋势一致。
[0009]可选的，在所述的光学邻近修正模型的建模方法中，获取所述图形宽疏区的目标点在聚焦矩阵条件下的第二晶圆数据的方法包括：在聚焦矩阵条件下对晶圆进行光刻，将所述宽疏图形的目标点转移至所述晶圆上，以获取所述第二晶圆数据。
[0010]可选的，在所述的光学邻近修正模型的建模方法中，在所述第二晶圆数据中选取的离焦量数目与在所述离焦量范围内选取的离焦量数目相等。
[0011]可选的，在所述的光学邻近修正模型的建模方法中，在所述离焦量范围内选取的离焦量数目为三个。
[0012]可选的，在所述的光学邻近修正模型的建模方法中，在所述模拟关键尺寸与所述实际关键尺寸的变化趋势一致时，在所述离焦量范围内选取的三个离焦量中的中间的离焦量为离焦量精确值。
[0013]可选的，在所述的光学邻近修正模型的建模方法中，采用特征尺寸测量用扫描电子显微镜获取所述第一晶圆数据和第二晶圆数据。
[0014]可选的，在所述的光学邻近修正模型的建模方法中，在根据所述第一晶圆数据查找所述测试图形中的图形宽疏区的目标点时，还查找所述测试图形中的图形密集区的锚点，以作为所述测试图形的基准点。
[0015]与现有技术相比，本专利技术的技术方案具有以下有益效果：在本专利技术提供的光学邻近修正模型的建模方法中，通过提前确定离焦量范围，且根据所述离焦量范围进行拟合，以建立光学邻近修正模型，即在所述光学邻近修正模型的建模的拟合过程中，将离焦量设定在确定的离焦量范围内，可以减少回归处理的时间和次数，缩短光学邻近修正模型的建模时间，提高建模的效率。
附图说明
[0016]图1是一种光学邻近修正模型的建模方法的框图；图2是本专利技术一实施例的光学邻近修正模型的建模方法的框图；图3是本专利技术一实施例的图形宽疏区的目标点对应的泊松曲线；图4是本专利技术一实施例的实际关键尺寸趋势图和模拟关键尺寸趋势图。
具体实施方式
[0017]参阅图1，常规建立光学邻近修正模型的方法是：首先，设计测试图形；其次，根据所述测试图形制作测试光罩；然后，利用所述测试光罩将所述测试图形转移至晶圆上，在所述晶圆上形成实际图形，收集所述实际图形的晶圆数据（即收集晶圆数据），并检查整理收集到的晶圆数据（即对收集到的晶圆数据进行数据整理）；最后，使用有效合理的晶圆数据建立OPC 模型。建立OPC模型时我们要对光学项参数和非光学项参数做计算和回归处理,并且这个过程是不断循环往复的，直到OPC模型找到最合适的参数。光学项参数和非光学项参数如果很多，每个参数又会设定一个范围，如果一个过程结束，用来建模型的数据权重或者个数等做调整，即参数的新数据，那么就需要重新对参数进行拟合，这样就会需要很长时间进行拟合。对产品生产计划造成压力，也浪费了大量系统资源和人力。
[0018]为了缩短光学邻近修正模型的建模时间，提高建模的效率，本专利技术提供了一种光学邻近修正模型的建模方法。通过提前确定离焦量范围，且在所述光学邻近修正模型的建模的拟合过程中，将离焦量设定在确定的离焦量范围内，可以减少回归处理的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光学邻近修正模型的建模方法，其特征在于，其至少包括以下步骤：设计测试图形，并根据所述测试图形制作测试光罩；利用所述测试光罩将所述测试图形转移至晶圆上，在所述晶圆上形成实际图形，并收集所述实际图形的第一晶圆数据；通过所述第一晶圆数据确定离焦量范围，具体方法包括：根据所述第一晶圆数据查找所述测试图形中的图形宽疏区的目标点，且所述目标点对应的第一晶圆数据达到工艺目标要求；利用仿真软件绘画出所述图形宽疏区的目标点对应的泊松曲线；获取所述泊松曲线的顶点值，并根据所述顶点值确定所述离焦量范围；根据所述离焦量范围进行拟合，以建立光学邻近修正模型。2.如权利要求1所述的光学邻近修正模型的建模方法，其特征在于，所述离焦量范围为所述顶点值
±
10%。3.如权利要求1所述的光学邻近修正模型的建模方法，其特征在于，根据所述离焦量范围进行拟合的方法包括：获取所述图形宽疏区的目标点在聚焦矩阵条件下的第二晶圆数据；在所述第二晶圆数据中选取多个离焦量及其对应的实际关键尺寸，所述多个离焦量包括最佳曝光离焦量、至少一个大于所述最佳曝光离焦量的离焦量以及至少一个小于所述最佳曝光离焦量的离焦量，并绘出所述实际关键尺寸的趋势图；在所述离焦量范围内选取至少三个离焦量分别进行模型计算和回归处理，得到对应的模拟关键尺寸，并绘出...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘秀梅，罗招龙，李可玉，杜远远，
申请(专利权)人：南京晶驱集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：